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[参考译文] BQ25792:"费用终止完成"未达到

Guru**** 2468610 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25792, BQ25792EVM, BQ25798

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1080500/bq25792-charge-termination-done-not-reached

部件号:BQ25792
“线程:测试BQ25798”中讨论的其它部件

你好!

最近,我们对其中一款产品执行了硬件升级,为新的 BQ25792更换了旧充电器。 我们总共有20个原型板,它们都有问题,我们仍然无法理解原因。 我希望能回答一些信息。

IC 用于通过步进电机驱动器驱动感应负载(步进电机)的医疗设备。 其它输入/输出规格:

  • 3S1P 3200 mAh 锂离子电池组。
  • 电源输入= 12 V/5 A
  • Vsys = 9-12 V
  • Isys = 1400 mA

我们的应用是否推荐使用此 IC? 您是否有其他公司的用例使用具有感应负载(步进电机)的 IC?

IC 是否有每个生产批次的勘误表? 如果是,我可以在哪里找到它?

IC 有多少个芯片版本? 如果有多个版本,每个版本有什么问题? 是否有任何寄存器返回此数据? 是否有任何标记代码?

示意图:

PCB 布局:

6-底部:

6 - BOTTOM

1 -顶部

2 - GND1:

3 - INT1

4- VCC1:

5 - GND2

配置寄存器:

注册/说明

价值

REG00_Minimal_System_Voltage

9伏

REG01_充电_电压_限值

12.9伏

REG03_charg_current_limit

1000 mA

REG05_Input_Voltage_Limit

10.8伏

REG06_Input_Current_Limit

3000 mA

REG08_Prechar_Control.VBAT_LOWV_1.

71.4%*VREG ~= 9.2 V

REG08_Prechar_Control.IPRECHG_5.

120 mA

REG09_Termination_Control.ITERM_4.

80 mA

REG0A_RE-Charge 控制.cell_1

3秒

REG0A_RE-Charge 控制。TRECHG_1.

1024ms (默认值)

REG0A_RE-Charge 控制.VRECHG_3.

200 mV

REG17_NTC_Control_0

0x74

REG18_NTC_Control_1

0x54

REG0F_Charger_Control_0

0xA2

REG10_Charger_Control_1

0x90

REG11_Charger_Control_2

0x00

REG12_Charger_Control_3

0x00

REG13_Charger_Control_4.

0x21

REG14_充电器_控制_5.

0xB4

问题:

在我们的测试中,我们达到了在大约4~5小时内完成 CHG_STAT =“111–充电终止”的3个条件:
-蓄电池电压高于充电阈值。
-转换器在蓄电池恒压调节回路中运行。
-电流低于终止电流。
但是,当 CHG_STAT 设置为“不充电”时,CHG_TMR_STAT 位设置为1之前,CHG_STAT 将保持“锥形电荷”状态。
您是否知道为什么它没有达到 CHG_STAT =“充电终止完成”?

我们从主板上卸下了 BQ25792,并将 BQ25792EVM 上的 I2C,SYS,BAT 和 VIN1引脚连接到主板上, 由于在 SYS (C81)和 PMID (C461)引脚上放置100 nF 电容器的方式与 PCB 布局建议的数据表修订版 B 不一致。但是,我们发现了同样的问题。

注册/说明

价值

REG1B_Charger_Status_0.VBUS_Present _STAT

1.

REG1B_Charger_Status_0.AC1_Present _STAT

1.

REG1B_Charger_Status_0.AC2_Present _STAT

1.

REG20_Fault_Status_0

0x00

REG21_Fault_Status_1

0x00

REG1B_Charger_Status_0

0x0B

REG1C_Charger_Status_1

0x8A

REG1D_充电器_状态_2

0x01

REG1E_Charger_Status_3.

0xE0

REG1F_充电器_状态_4.

0x00

REG1C_Charger_Status_1.CHG_STAT

锥形电荷

REG33_IBAT_ADC

0 mA

REG3B_VBAT_ADC

12.85 V

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    罗德里戈,您好!

    此 IC 应适用于您的应用,但要记住,它的最大输入电流为3.3A (不像您的电源那样为5A),并且 Ilim_Hiz 电阻器默认启用以夹紧输入电流。  您可以使用 EN_Ilim 位禁用 Ilim_Hiz。

    不幸的是,此 IC 对电路板布局非常敏感,特别是 PMID 和 SYS 上的100nF 保护盖。  如果没有将它们尽可能靠近 PMID 和 GND 引脚以及 SYS 和 GND 引脚,切换噪音就会进入电流感应放大器并破坏环境,这与您看到的情况类似。  我们的第一个 EVM 的布局与您的 EVM 相似,我能够在 PMID 和 SYS 迹线上扫描焊锡掩码,将盖板几乎放在 IC 顶部,使其接地端接触,然后将电线焊接到接地引脚上。  这使我们的第一个修订版主板能够正常工作,并且可能适用于您当前的主板。  但是,我强烈建议您的最终主板尽可能接近数据表建议的布局。  我意识到布局是反直觉的,SWX 轨迹在 IC 下方,感应器被进一步推离。  但是,对于所有转换器而言,将 SYS 和 PMID CAP 靠近 IC 比让电感器闭合更重要。  除了电感器轨迹的额外电阻和电感,与电感器的电感和 DCR 相比,没有什么其他电感。

    此致,

    杰夫

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    我们发送的只是为了获取我们当前来源有5A 的信息,以了解它足以满足 BQ 的需求,而 BQ 正是3A,如 Input_Current_Limit 寄存器中配置的那样(我们在表中发送了它)。

    关于伊利姆·海兹:在我们发送的表格中,您可以看到 REG14_Charger_Control_5设置为值0xB4 (10110100),其中位1为 EN_EXTILIIM,并设置为0 (禁用)。

    我们知道与布局相关的问题,因为我们已经在论坛上的其他帖子中看到了这一准确的建议,正是因为如此,我们从主板上移除了 IC 并放置了 BQ25792EVM (如图所示) 布局正确,出现了同样的问题。

    有些问题没有得到回答,我将在这里再次发布:

    您是否有其他公司的用例使用具有感应负载(步进电机)的 IC?

    IC 是否有每个生产批次的勘误表? 如果是,我可以在哪里找到它?

    IC 有多少个芯片版本? 如果有多个版本,每个版本有什么问题? 是否有任何寄存器返回此数据? 是否有任何标记代码?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    罗德里戈,您好!

    我记得 e2e 上的另一位客户具有感应负载。  该客户也没有遵循建议的布局。  在我指出这一点后,我没有听到任何声音,因此我不知道该决议。      

    TI 的大多数模拟组不再发出错误。  相反,如果有重大变化,我们会发布一个 PCN 并发布一个新的数据表。  目前还没有 PCN。  目前我们正在处理的唯一可能需要 PCN 的问题是某些 IC 上的测试/微调问题,如果未连接电池或电池电量严重耗尽,则该问题会阻止 BAT 电流从涓流充电中上升。  我们正在努力纠正下一个生产运行的测试程序。 如果您的 IC 有此问题,您可以提交 RMA。   

    此 IC 只有1个版本,没有其他版本的计划。   我们的修订版涉及金属的更改,而不是像我上面提到的那样测试程序的更改。 从历史上看,在这条产品线中,如果我们要进行修订(金属更改),它将是一个新的零件号,如 BQ25792A。 没有计划这样做。  但是,我们确实发布了 BQ25798,它增加了 MPPT 和备份模式功能。  如果 在充电时未连接电池,则还可以防止 SYSOVP 和转换器在 BAT 针脚上没有大容量盖的情况下关闭。 IC 顶部标记提供了一个批次跟踪代码,但您必须联系 TI 以从此代码中找到批次生产信息。 有一个修订版 I2C 寄存器,但目前它仅用于指示同一系列的 OTP 旋转(打开或关闭不同功能)。

    请告诉我移动这些盖是否会提高 IC 性能。  如果没有,我们可以进一步调试。

    此致,

    杰夫