各位专家:
希望你们做得好,如果你们是女性专家,祝国际妇女节快乐。
为什么 TR 总是比 TF 长?
在我看来, 打开或关闭电源时,所需时间与电流(充电或放电)有关。 假设有相同的门,则电流将由 VΔ 决定。 VΔ2 Vdriver= 10V,Vth=1.8V,我们可以得到 VΔ1 Ω>Ω。因此,tr 应该小于 tf?
请帮助查看我的计算结果,其中0.5 (Vmiller-Vth)用于简化开关期间的平均电压。
谢谢。
达信蔡。
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各位专家:
希望你们做得好,如果你们是女性专家,祝国际妇女节快乐。
为什么 TR 总是比 TF 长?
在我看来, 打开或关闭电源时,所需时间与电流(充电或放电)有关。 假设有相同的门,则电流将由 VΔ 决定。 VΔ2 Vdriver= 10V,Vth=1.8V,我们可以得到 VΔ1 Ω>Ω。因此,tr 应该小于 tf?
请帮助查看我的计算结果,其中0.5 (Vmiller-Vth)用于简化开关期间的平均电压。
谢谢。
达信蔡。
达信,您好!
国际妇女节也很高兴,感谢您的询问。 我相信您的分析是正确的。 上升和下降时间取决于栅极驱动电流,电荷通常高于电荷,因为有更多电压可供产生电流。 但是,如果栅极驱动电压为5V 甚至3.3V,这种情况可能会有所变化。 请记住,RG 由栅极驱动器电阻+外部栅极电阻+内部 FET 栅极电阻组成。 栅极驱动器的放电阻通常较低。 我在下面加入了几个链接。 第一个是关于 TI 如何在 FET 数据表中测试和规范切换时间的博客,第二个是关于估算同步降压转换器(包括通用源电感)功率损耗的应用说明。
e2e.ti.com/.../2016年15月07日 mfs/Understanding-mfi-data-sheet-part-5-开关参数
https://www.ti.com/lit/slpa009
此致,
约翰·华莱士
TI FET 应用
约翰:
非常感谢您提供的宝贵信息。
您是否熟悉 LLC 转换器? 如果是,您能帮我澄清我对以下问题的困惑吗? 为什么主 MOSFET 始终设计为在 ZVS 条件下工作以消除接通损耗。为什么不选择 ZCS 来消除断电? 根据您分享的博客。 打开(tdon+tr)所需的总时间比关闭(tdoff+tF)所需的总时间长。 我认为,应该使用软开关技术来最大化其价值,以消除较高的损失(接通损失)。
谢谢,BR,
达信蔡