部件号:UCC27624
TI 的栅极驱动器指定了其输出级的上拉和下拉电阻。 许多 TI 的栅极驱动器在上拉结构上具有独特的输出架构,在从低到高(米勒高原地区)的交流过渡期间,该结构在最需要时提供最高的峰值源电流。 该器件输出级采用混合上拉结构,采用 N 通道和 P 通道 MOSFET 器件的平行排列。 当输出状态从低变为高时,通过在较短的时间内打开 N 通道 MOSFET,栅极驱动器设备能够快速提升峰值输出电流,从而实现快速接通。 下图1显示了这种混合结构:
图1: TI 的混合输出结构
以 Ω 新的双通道低压侧栅极驱动器 UCC27624为例,其混合上拉结构的 N 通道 MOSFET (RNMOS)在启动时的接通电阻约为1.04 µ A。
那些目光敏锐的人会注意到以下数据表中指定的上拉电阻(来自 UCC27624数据表)远高于仅 NMOS MOSFET 的1.04 Ω。 这是因为表中的数据是作为直流测量而不是交流测量来获取的,它仅代表 P 通道设备的接通电阻。 NMOS MOSFET 仅在从低到高的 AC 转换过程中打开。 UCC27624数据表的“输出级”部分进一步说明了交流上拉电阻。
UCC27624器件的下拉结构简单地由 N 通道 MOSFET 组成。 因此,ROL 参数(也是直流测量)代表设备下拉阶段的阻抗。 此外,如果部件只有 PMOS 拉拔结构,则 DC 卢武铉参数将具有代表性。
如果 TI 器件没有明确说明混合拉合结构的有效交流电阻,则估计它大约为1.5 x ROL。
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