[参考译文] TPS53316：高压侧 FET 和 TJ 的过电流限制

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部件号：TPS53316

你(们)好

您能否提供高侧 FET 与 TJ 的电流过限图

0 admin 3 年多前

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你好，Aaron，

未为此设备指定此选项。通常，由于感测 FET 的 RDSon 较高，电流限制会随着温度的升高而降低。这也与 D/S 值相匹配，D/S 值显示较低 Vout 时的电流限制(效率较低，意味着热损耗较高)。

如果你还有其他问题，请告诉我。

谢谢，

多里安

0 admin 3 年多前

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您好，多莉安·布里莱特·德坎德

您的图表是低侧 FET 与高侧 FET
我是否有误解？

2.是的，我的经验还包括当温度高时限流会降低。 (SENSE RDS (开))

我的使用状况是
VIN=5V
输出电压=0.95V
FSW=1.1M Hz

根据数据表，OCP 约为7.8A
表中的高压侧 FET 的过流限制=6.1/6.8/7.5A
评估最低 OCP 6.1/6.8=0.897
典型值=7.8A
最小=7.8A*0.897 =6.997A？

0 admin 3 年多前

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你好，Aaron，

1.你是对的，我认为这是同一高端 FET 电流限制的两种不同操作条件。我的坏了。

3.我不确定你在这里做的计算是什么(例如 OCP 6.1/6.8=0.897)。请详细说明。

非常感谢！

此致，
多里安

0 admin 3 年多前

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您好，多莉安·布里莱特·德坎德

因为我无法测量很多，所以在我使用的条件下 OCP 的最小值
但从图6可以知道，典型值大约为7.8A
在该表中，最小值和典型值=6.1A/6.8A=0.897之间的比例关系
让我们在我使用的条件下评估 OCP 的最小值
7.8A * 0.897 = 6.997A？

0 admin 3 年多前

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你好，Aaron，

你可以用这个作为经验法则，我希望这种野生近似值有一些变化。

谢谢，
多里安

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