[参考译文] UCC21750：Desat 系列残留物的值

你好，迪诺，  

除了调整脱饱和阈值外，限制还具有一些电流限制能力。 当晶体管切换时，它可以限制由二极管电容耦合引起的电流峰值，如果二极管的反向恢复时间过长，它可以限制流经二极管的电流。 但是，在这种情况下，这两种情况都不太可能发生——二极管的电容很小(15pF)，二极管的反向恢复时间很短(75ns)。  

林的另一个作用可能与内部电流供应(Ichg)有关。 可能是由于消除了拉线而导致电路短路，从而导致高充电电流，从而导致二极管的功率消耗过高。 我们将测试林对伊克的影响，并返回给您。  

可能导致散热问题的其他原因包括：  

1.脱扣后，脱扣引脚更容易受到噪音的影响，从而导致功率消耗过大。  

2，IGBT / MOSFET 的收集器/排卸器发出噪音，导致功率消耗过大。  

为了测试这些原因，如果客户可以在拆下拉杆之前和之后探测到脱饱和引脚上的电压，这将有所帮助。  

此外，如何定义“散热问题”？ 他们用什么来测量二极管的温度，它达到了什么温度？ 他们使用的切换频率是多少？  

谢谢，  

维维安

你好，迪诺，  

对延迟回复表示歉意。 在我的实验室设置中，我测试了产生 Ichg 的内部电路是否会受到取走林的影响，结果是取走林不会对 Ichg 产生重大影响。  

从您提供的波形中，我可以看到， 由于反向恢复，在拆除拉利电阻器时峰值电流为高(342mA)。 这可以解释二极管的加热。  

我们建议放置一个200欧姆- 1千欧的电阻器。 希望这将解决散热问题。  

谢谢，  

维维安

你好，迪诺，  

在这种情况下，高反向恢复电流可能会被充电电容器 Cblk 阻尼，因为它是一个脉冲；但是，如果高电流水平持续存在，芯片可能会损坏。  

希望这能有所帮助！  

维维安