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[参考译文] TPS43060：升压 IC 和低压侧 MOSFET 启动问题不一致

admin
Guru**** 2394305 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS43060

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1082175/tps43060-inconsistent-start-up-issues-with-the-boost-ic-and-low-side-mosfet

部件号：TPS43060
“线程： 测试”中讨论的其它部件

您好 TI 团队，

我们在设计中使用 TPS43060，规格如下：

VIN 10.8伏- 15伏
输出电压 24V
输出 2A.
联邦社会福利部 400kHz

设计看起来不正确，但有以下观察：

1.第1板： 我们得出结论，由于以下阻抗检查，升压 IC 损坏

HDRV 至接地 3.3欧姆
LDRV 至 GND 0.5欧姆
VCC 至 GND 1.8欧姆
车尾箱接地 1.8欧姆

2.电路板#2：低压侧 MOSFET 的漏极和源似乎短路。 最初，主板将输出电压提高到 Vin +3V，但最终失败。

两块板在损坏时均未受到任何装载条件的影响。 这是微控制器对板的初始编程，并将 EN 拉高。

原理图片段

让我了解一下您对设计的想法。

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    TI__Guru**** 2394305 points
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    您好，Ashwini，

    感谢您使用 TPS43060进行设计。  有4.7欧姆栅电阻器，可以缩短高压端和低压端 MOSFET 之间的失效时间。  请您监控两个 MOSFET 的 Vgs 电压波形，看看是否有足够的停机时间？   

    谢谢，

    您好

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    TI__Guru**** 2394305 points
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    您好，Youhao，

    请查找波形，我们可以看到一些问题。 死区明显减少，这是一个主要问题，但 HDRV 波形有6.6V 的降，这是不可理解的。

    我们无法从损坏的电路板中获得任何东西，但工作板上的波形也不好。 请从工作板中找到以下波形

    负载条件：VIN = 15V，Iout = 0.5A，来自 CC 模式下的直流电子负载

    HDRV 与 VCC

    MOSFET 引脚上的 HDRV 与 LDRV

    死区问题

    HDRV Rise 脱带正常

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    TI__Guru**** 2394305 points
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    您好，Ashwini，

    我建议降低低侧和高侧 FET 的阻抗，以强制更快地打开/关闭。 至于6V 降，我相信您在第一个波形中看到的是 在高侧 MOSFET 工作后，车尾箱带电容器大多已放电，因此它的电压很小。 因此，高压侧浇口电压只能看到车尾箱带电容器和开关引脚的电压，电压为24V。 您可以通过探查 HDRV-SW 之间的差异以及 LO 来检查这一点，以检查实际的停滞时间。

    我的一个问题是，您提到在启动 EN 时 IC 损坏。 您拔出此销的高度是多少？

    此致，

    理查德

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    TI__Guru**** 2394305 points
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    你好，理查德，

    1.通过降低阻抗，我相信您是指降低 两个 MOSFET 的栅电荷(Qg)和栅电阻器的总电阻。 这是正确的吗？

    2，我在 HDRV 上看到的波形是有效的波形，还是需要增加引导电容器的值以保持充电时间更长？

    3. EN 引脚最大为3V3，因为它由微控制器驱动

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    TI__Guru**** 2394305 points
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    你好，理查德，

    请在下面找到波形。 死区看起来大约60 ns，这已经足够好了。 绝对不是失败的原因

    黄色：SW

    绿色：HDRV

    蓝色：数学 C1 - C2

    橙色：LDRV

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    TI__Guru**** 2394305 points
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    您好，Ashwini，

    1)我只是指 MOSFET 的栅极电阻器。

    2)感谢您提供以下波形。 为供将来参考，在检查死机时间时，检查 LDRV 和 HDRV-SW 以获取实际波形以检查死机时间非常重要。

    3) 此处的 EN 条件似乎正确，因此 您能否使用 ABA 测试在工作板上重现故障？  

    此致，

    理查德

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    TI__Guru**** 2394305 points
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    1.波形 HDRV-SW 和 LDRV 中记录的死时间为58ns - 60ns，这是正常的。 根据先前附加的波形，死区似乎不是问题。 我们是否仍需要减小栅极电阻？ 它会增加响铃

    2. ABA 测试板在 B 处失败

    第1板：VCC，HDRV 和 LDRV 均为短路

    IC 已更改。 现在没有短时间，但没有生成 IC 的内部 VCC

    第2板：低端 MOSFET 最终出现故障

    低端 MOSFET 已更改，但 IC 没有 VCC。 然后 IC 被更改。 现在我们可以看到 IC 的内部 VCC，但它仍然处于禁用状态。 IC 不会驱动任何 MOS

    本周将详细了解这些主板。

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    TI__Guru**** 2394305 points
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    嗨，Haroon，

    感谢您提供信息。 当您说没有内部 VCC 时，您是否说 VCC 引脚读数为0V？

    此致，

    理查德  

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    TI__Guru**** 2394305 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    是的，它读数为0伏，但接地端没有短路  

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    TI__Guru**** 2394305 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好，Ashwini，

    您能否检查 VCC 引脚与 VIN 引脚和行李箱引脚之间的导通性？ 您在板上看到 VCC 似乎很奇怪，现在这一点并不明显。 这让我觉得这是一个联系问题。  

    此致，

    理查德