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部件号：LMG1205 尊敬的TI团队：
我们刚刚观察到在我们的Gan－Halfbridge应用程序的测量过程中有一些有趣的事情，在该应用程序中，我们使用LMG1205驱动由 2个EPC Gan－FET组成的半桥拓扑。
该应用是一种特殊的直流-直流转换器，我们在其中将输出电压调节到输入电压的一半。 在正常操作中，电路与HI/LI上的标准PWM信号(来自FPGA)配合工作。
但在 无负载条件下，我们禁用PWM以节省能源。
我们发现，如果最后一个开关循环是HS开关关闭，那么在此期间，引导电容器会产生与流经输出电感器的电流成比例的过压。
我们很肯定，原因是通过LS开关二极管的自由流动电流在开关节点上产生负偏压。 当电流达到零时，半桥为高阻抗，切换节点显示典型振荡。 由于负偏置，我们获得了高压侧电源电压的正电压偏移。
根据数据表，LMG1205应将高压侧电源(HB至HS)夹紧至最大值 5，25V，因此不应发生此移位。
在我们的测量过程中，这种夹紧似乎不能正常工作，并且违反了GA-FET的UGS等级。 您对为什么会发生这种情况有任何想法吗？
我添加了示波器的屏幕截图。 我不想公开分享更多详情，但如果您感兴趣，我们可以私下分享原理图和进一步的测量结果！
通道1：切换节点
CH2：栅极电压偏高
CH3： 通过输出电感器的电流
CH4：自举电容器(HB-HS)之间的电压
