[参考译文] LM5176-Q1：扩频LM5176QPWPTQ1

  您好，Stefan，

感谢您的快速反馈。

我的客户尝试使用参考设计中建议的所有组件，但很少有不同的部件。 例如MOSFET，I/O电容器。 请您查看此设计吗？ 我们的要求是9V-36VIN，12V VOUT，11A扩频。 我在这里附上了原理图以供查看和参考。 谢谢

此致，

您好，Zhonghui，

将对此进行研究，但可能需要一些时间，可能会在下周中回来。

同时，您可以使用设计计算器检查电路：

LM5176-Q1数据表，产品信息和支持| TI.com

此致，

 Stefan

  您好，Stefan，

感谢你的帮助。

我对设计做了一些更改。 我已附上修改过的文件供您查看。

e2e.ti.com/.../TI-Sch.zip

我有一个关于MOSFET规格的问题。 在模拟中，高端MOSFET为100A，低端MOSFET较小。 在这些MOSFET中，我可以达到的电流下限是多少？ 这只是为了降低BOM成本和零件的大小。谢谢。

此致，

您好，Zhonghui，

从基本转换器中，您应看到~20 A，加上一些余量和余量，这将达到~ 25A。

使用Rsense设置的电流限制为23.4A

注意：电流感应电阻过高-> 最坏情况下，它在正常工作条件下已经可以触发。

因此我将采用最高电流感应限值，并为FET的下限添加20 % 余量。

此致，

 Stefan

  您好，Stefan，

感谢您的回复。 我们的负载电流要求为11A。 那么，根据所需的负载电流，Rsense设置的23.4A值是否过大？ 我是否应该将此电流限制降低到15A？ 我不是自己计算的，而是从仿真设计中提取了这些值。 请给出建议。

根据您的建议，我已将低端MOSFET更改为53A，肯定高于20 % of25A。 我将等待各位对整套方案的检讨。 谢谢

此致，

您好，Zhonghui，

您需要减小电流感应电阻器，以增大电流限制。

您使用了哪个工具来估计电流感应电阻器(您提到了一个模拟工具)。

您是否使用过设计计算器： LM5176-Q1数据表，产品信息和支持| TI.com

这是我用于检查设计的一般工具。

此致，

 Stefan

您好，Zhonghui，

将0欧姆系列电阻器添加 到FET的栅极线路中也是一个良好的做法，因此在需要时可以很容易地添加电阻器。

Dboot1和Dbout2不同是否有原因？

此致，

 Stefan

  您好，Stefan，

感谢您的回复。

我使用了TI的在线工具Web Bench Designer。 我提出了所有的设计要求，如VIN Vout，IOT等，我得到了设计。 我在这里附上了从WebBench工具收到的示意图。 它是为11A IOUT.Dboot1和Dbout2设计的，它们是相同的部件PMEG6010CEH。

此致，

  您好，Stefan，

我在这里附上了一份PDF文件，其中包含最新的示意图，供您查看。 文件名为“DTI_12V 11A LM5176_300322”30.0322万”。  

同时，我尝试了在线计算器，并将其附在此处。 如果我的理解有误，请更正我。
1.我仍然可以使用1.5uH电感器。 (建议使用2uH)
2.我选择的电流电感器为1.5uH，27A正常电流，47A饱和电流正常。
3. RSENSE需要更改为5毫欧。 我认为最大负载电流为15 A，正常负载电流为11A
4.电流输出电容器的总功率为160uF。 我仍然可以按照计算器中的建议将这些假设降低到68uF。
5.输入电容器正常
6.软启动，抖动正常
7. UVLO，我需要将R43更改为36.5Kohm
8.薪酬网络组件正常
9.所选MOSFET正常

请告诉我您的意见以及需要在设计中进行的任何更改。

感谢你的帮助。

此致，

您好，Zhonghui，

请参阅以下我的评论：

-接地连接应从(R198)移至分流器(R210)。 在原理图中，这是董事会上的社论，这一点至关重要。

对于斜坡补偿，我将从100pF开始，并在板可用时进行优化。

- UVLO电平为7.6V，而电压为9V Vin？ 检查这是否是所需的级别。

此致，

 Stefan

  您好，Stefan，

感谢您的意见。 我将在设计中修复这些问题。 除了这些，其他的一切都还可以吗？ 谢谢

此致，