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[参考译文] BQ2.573万:关于Ni-MH充电曲线

Guru**** 1831610 points
Other Parts Discussed in Thread: BQSTUDIO
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1088632/bq25730-about-ni-mh-charging-curve

部件号:BQ2.573万
主题中讨论的其他部件: BQSTUDIO,, BQ2.5792万

您好,

客户正在尝试使用BQ2.573万EVM和MCU为4节电池Ni-MH充电。
充电电流将设置为384毫安。 电池已回放。

他们将充电电压设置为6V并获得充电曲线。
它显示了CV充电区域中充电电流增加一段时间的行为。

在CV充电过程中,充电电压会略微上升,充电电流会上升。
您能否就可能导致这种行为的因素给我一些建议?

我想共享收费曲线并使用私人消息注册信息。
您能告诉我联系信息吗?

此致

Yusuke

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    您可以将文件上载到此私有文件文件夹。  

    tidrive.ext.ti.com/.../8c6fd9dc-bc2d-4a09-b154-804.8322万ce05d

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    您好,Tiger,

    感谢您的回复。
    我上传了电荷曲线和注册设置信息。
    您能否给我一些建议,说明CV充电区域中的电流为什么会上升?

    此致
    Yusuke

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    查看完电荷配置文件和寄存器映射后,我认为CV范围内的电流上升是由于MCU命令造成的。 看起来新的充电电压被写入充电器,如充电电压波形上所示。 除了这种小的电流上升,电荷配置文件看起来很好。  

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    您好,Tiger,

    感谢您的支持。
    >查看电荷配置文件和寄存器映射后,我认为CV范围内的电流上升是由于MCU命令造成的。
    我认为充电电流已因充电电压增加而改变。

    但是,客户正在使用EVM。 控制由bqstudio完成。 在测试过程中,我没有更改已发送寄存器设置。
    它们使用bqstudio将充电电压固定在6V设置。
    在CV过程中,充电电压设置是否有变化的因素?
    在CV充电期间,充电电压是否可能因蓄电池的特性而发生变化?

    此致
    Yusuke

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    我们在这里谈论的是18mV。 这是否是来自蓄电池电压测量的噪音? 它很想知道此观察结果是否可在另一个电荷曲线中重复。  

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    您好,Tiger,

    感谢您的回复。
    >这是否是来自蓄电池电压测量的噪音?
    >我们有兴趣了解此观察结果是否可在另一个电荷曲线中重复。  

    我已向您发送其他充电曲线信息。
    此VBAT上升和电流变化在其他电荷曲线上重现。

    BQ2.573万的运行是否可能导致此类电压上升?
    数据表中未介绍CV区域中的设备操作信息。

    如果有其他波形需要检查,您能否给我一些建议?

    此致
    Yusuke

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    另一种可能是镍氢电池的特性。 请注意,BQ2.573万需要主机终止收费。 您可以监控SW节点波形,以查看切换频率是否突然变化。 如果是这样,电压纹波可能会发生变化,从而导致充电电流发生微小变化。  

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    您好,Tiger,

    感谢您的支持。
    我有一个评估板,并复制了客户的测试。
    因此,这一现象再次出现。

    我会将获得的充电曲线发送给您。
    作为一项附加测试,使用2200uF电容器检查充电波形。 我们还会向您发送结果。

    让我问你三个关于这些结果的问题。

    1.
    您能否向我们提供您对充电曲线和测量波形的看法?
    根据充电曲线,我考虑了以下因素:

    ・CV中的充电电流下降
    ・充电电流下降到足够的程度,并执行脉冲充电以检查蓄电池连接。
    ・Ni-MH通过脉冲充电进行充电,VBAT升高。
    ・由于VBAT上升,电压在下一次脉冲充电时不会上升。

    这种理解是否正确?

    2.
    当充电电流小于CV范围内的设定值时,BQ2.573万的行为如何?
    BQ2.573万是否执行脉冲充电以检查蓄电池连接?

    3.
    您能否详细解释当电容器与波形一起连接时BQ2.573万的控制操作?
    在连接电容器的情况下,观察到重复充电。

    此致
    Yusuke

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    我认为问题是电流感应电阻器。 使用5mohm进行低电流充电,充电电流分辨率为128mA。 我们正在尝试了解CV相位期间充电电流的不规则性(从42mA到53mA)。 电流感应信号电平约为0.25mV。  

    由于最大充电电流为384mA,我建议您尝试50mohm或更高电流。

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    您好,Tiger,

    感谢您的评论。
    如果您能了解以下内容,请告诉我详细信息。
    我 想请您解释BQ2.573万在问题2中的操作。
    >我们正在尝试了解CV相位期间从42mA到53mA的充电电流不规则性。


    建议是对5mohm或10mohm的理解。
    你可否就设定50mohm及更改登记册的风险,向我提供一些意见?
    我不知道在应用50mohm时如何设置寄存器。



    >由于最大充电电流为384mA,我建议您尝试50mohm或更高电流。

    此致
    Yusuke

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    BQ2.5792万是您的更好选择:I2C控制,5-A,1-4节电压降压升压充电器,带双输入选择器和USB PD 3.0 OTG输出

    最小充电电流为10mA,而BQ2.573万的充电电流为128mA。