[参考译文] CCS/BQ76PL455EVM：TMS5.7004万和BQ76PL455EVM的示例代码不工作

 您好，Ruby，

示例代码旨在"按原状态工作"，但 不有用。 该代码主要是 配置寄存器的示例。 您是否曾查看 RX线路上是否有任何回至MCU的通信？  

我刚刚将一个EVM连接到TMS570，并使用 Saleae逻辑分析器验证它是否应按原来的方式上传。 您可以 看到 455 EVM在 唤醒音后在RX线路上接收到一串命令，并在 请求响应时在TX线路上发回数据包：

感谢您的响应，我尝试连接它，并使用TDS2000C数字存储示波器连接Rx，TX和唤醒引脚，但未在这些引脚上接收到任何输出。 但是，当我尝试使用GUI时，我会收到针脚上的输出。 您能更详细地告诉我您采取的步骤吗？

Ruby，

没问题...

从 bq76PL455EVM...开始

1. 设置 开关 SW1和 SW2。
   1. SW1 应切换到   文本为"1234"的一侧
   2. SW2应 切 换到"单"， 因为您不使用隔离 通信
2.  bq76PL455A  已从电池组断电。 借助bq76PL455 EVM，我们可以通过获取电源并使用简单的电阻梯模拟 电池的压降来模拟电池电压。 455在堆叠顶部至少需要12伏电压才能工作。 在我们的实验室中，我们  使用16个100欧姆串联电阻器，并将455连接到每个 分接头。 将  电源连接到该电阻分压器应一直工作到~12V。  如果 你 不想进入高电压，我 建议使用类似20V的电压。 我 相信这将会产生一个具有默认设置的电池欠压故障情况。    但这只会导致nFault针脚触发。  

 MCU的时间...

1. 将MCU管座引脚连接 到 455 EVM的管座J3
   1. sys_main.c  文件的开头详细说明了这些连接。
2. 假设 项目 已导入CCS并 编译，则使用USB电缆将MCU连接到PC
3. 在CCS中构建项目
4. 运行调试器， 然后按Resume (恢复)(F8)。 这 将在 微控制器上运行代码，并允许您逐步浏览代码并点击断点。

我亦很抱歉，我在较早前的答复 中忘记拆除 MCU的电阻R8。 执行此操作后，答案应如下所示：

您好，Ruby，

遗憾的是，我们没有发布任何"即插即用"的代码，主要是出于责任原因。 但是，该示例代码将很好地用作框架代码。 这些命令已经内置，只能由用户决定如何使用它们。

您好，David：

当我将两个开关移动到同一位置时，EVM不会打开。 D22指示灯仍然不亮。 我在GUI中尝试了该位置，但GUI未连接“无法打开COM端口”。

但是，当我将第一个开关从SW2发送到“开”位置时，如果我将第二个开关留在“不开”位置(如下图所示)，GUI将连接到EVM。  

这是设置，我按照Sysmain.c中的说明连接了跳线

Ruby，

 两个通信模式选择开关都应处于 “单一”位置，以便正确使用。 在  差分模式下，您仍会看到与开关的通信。

 您使用什么 来为 455 EVM供电？ 我在BAT连接器处看不到任何连接

我正在使用EVM平衡36V电池，如下所示。

既然你说两个开关都需要在一个位置才能正常工作，当我把两个开关都放在那个位置时，GUI不会打开，这是否意味着主板有问题？ 当我将“开关1”切换至“打开”位置时，GUI才会识别主板。

Ruby，

我能够重现当两个开关位置都切换到"单个"时GUI未打开的情况-仅当我的电源未打开时才会出现这种情况。 在这种情况下，VIO上的电压为4.95V (正确)，没有D22，并且GUI不检测我的主板。

我是否可以要求您将设置切换为"single (单个)"并在连接电池组的情况下测量VIO测试点以及bat16？ 在差分模式下，您是否还能测量它们？


我还可以要求您仔细检查电池组连接是否正确吗？ 由于您使用的是10S电池组，BAT16(s)-BAT10应该短接在一起，因为bq76PL455从电池组顶部获取电源。 如果您可以验证每个BAT测试点处的电压，这可能是良好的健全性检查。

我并不排除主板已损坏，我们只须进行一些测量以确定

您好，David，感谢您的耐心等待。

我进行了您所描述的测试，将USB更改为TTL电缆。 EVM现在按预期工作。 VIO处的电压在单模模式下为5.1V，在差动模式下为5.34V。 蓄电池电压准确。 BAT16 (s)-BAT10连接在一起。  因此我已经确定董事会正在按其应有的方式工作。

以下是使用GUI测量单元格的屏幕截图。

单元格1，6和10故意低于其他单元格的值，以模拟不平衡的情况。

我还在示波器上捕获RX和TX活动；

黄色：TX

蓝色：Rx

紫色：唤醒

但是，在将TMS5.7004万与EVM配合使用时，我仍然遇到相同的问题。

我将EVM置于单模式，按照提供的代码中所述连接跳线。

我导入了代码并将其加载到主板上。 唤醒引脚在以下屏幕截图中的点高；

当我浏览代码时，唤醒引脚在 gioInit();函数之后变低；

当代码运行时，RX和TX引脚上无活动，故障引脚会变高。

D22点亮

TX引脚：3.3V (使用示波器稳定)

RX引脚：3.3V (使用示波器稳定)

VIO：3.3V

VDIG 5.34V

参考电压：2.5V

V5VA0：5.31V

您好，Ruby，


谢谢你们的详细答复，我几乎所有的问题都得到了肯定的回答。

可以放心地说EVM工作正常-我们通过GUI看到了这一点。

仔细检查以确保在RX或TX的下降边缘触发，并且您的范围具有适当的带宽设置。 您的EVM似乎工作正常。

电压基准出现，D22亮起，这意味着455已正确接收唤醒命令。 请记住-如果您从测试点测量唤醒，则它已通过逆变器，因此它将与MCU发出的信号相反。nFault应为HIGH，表示无故障(非Fault = True)， 当发生故障时，和应降低(非故障=假)。

大家好，David，我使用的示波器带宽为200 MHz，采样速率为2GS/s
我将范围设置为在下降边缘触发，同样的事情也会发生。
我想知道为什么在使用GUI时检测RX和TX活动的范围不是在使用TMS5.7004万时检测的范围。
我尝试使用TMS打开平衡以查看代码是否有效，但我没有成功。
能否将您尝试的代码发送到我的电子邮件地址rubyrebz758@gmail.com？
或者，您是否可以执行代码片段，以便我可以看到EVM与TMS的平衡？

Ruby，您好， 我 已经联系了您提供的电子邮件地址，其中 包含一段代码，可以为   所有通道启用单元平衡-您可以参考数据表以查看注册表以及 如果您希望修改它，可以设置哪些位。

您是否已将TMS引脚SCI1_TX和SCI1_RX引脚连接至高于4.6V的任何电压？ 我想知道MCU引脚是否可能损坏。 GIO针脚工作正常，因为它们正在发送唤醒命令。 如果455EVM处于休眠模式，则5AO为~µ A 4.8 ，而其它电压基准将关闭。  

Ruby，

电子邮件使用您提供的地址退回。 您是否可以验证提供的地址是否正确(发生拼写错误...)，或者提供替代地址？

它是rubyrebz758@gmail.com

谢谢

我收到了电子邮件...感谢您的解释

欢迎您... 希望他们能提供帮助。开始学习的一个非常简单的方法是制作一个非常简单的课程：

开机(确保为单端，正确波特率等配置)
样品池，
余额，
关闭电源，

并从中积累，增加安全功能。

我仍然很好奇，为什么看不到来自TMS570的UART ...如果您尝试触发TMS570 TX引脚，仍然什么也看不到？

您好，David：

我遇到的问题与Ruby所显示的问题相同。 我正在进行您的完整对话。

您是否还可以将BQ76PLEVM和TMS5.7004万启动板的单元平衡代码发送给我？

甚至我也会检查一下。

电子邮件：ritulshah92@gmail.com

谢谢

Ritul

您好，David：

TMS570启动板的BQ76PL455示例代码中有一个命令

//在单个板上设置电池过压和电池欠压阈值(章节2.2 ．6.1)
   nDev_ID = 0；
   nsent = WriteReg (nDev_ID，144，0xD1EC，2，FRMWRT_SGL_NR)； //设置OV阈值= 4.1000V
   nsent = WriteReg (nDev_ID，142，0x6148，2，FRMWRT_SGL_NR)； //设置UV阈值= 1.9000V

现在寄存器144和142存储OV和UV阈值。 我们可以在代码 编辑器工作室的何处看到这些寄存器？

另外，请告诉我应该编写什么代码来启用单元平衡？

谢谢

Ritul Shah

您好，David：

感谢您的回复。

我根据我的申请修改了上述API。

//平衡配置
nDev_ID = 0；
nsent = WriteReg (nDev_ID，19，0x2C，1，FRMWRT_SGL_NR)； //用于结余的常规配置(余额继续2分钟)

nsent = WriteReg (0，0x1E，0x0015，2，FRMWRT_SGL_NR)； //设置BIST配置(禁用挤压电阻器)

//启用平衡FET
nDev_ID = 0；
nsent = WriteReg (nDev_ID，14，0x003F，2，FRMWRT_SGL_NR)； //平衡启用

当我运行此代码时，无法让平衡启用的LED闪烁(通过GUI完成时，我以前也是如此)。
那么，平衡是否正在运行？

请帮帮我。

谢谢
Ritul Shah

David，

我正在使用实际的锂离子电池(6个串联)。
是否需要用第六根芯线将剩余的芯线短路？ (目前所有这些都已打开)。
我尝试了您提供的以下代码。

nsent = WriteReg (0，0x1E，0x0005，2，FRMWRT_SGL_NR)； //设置BIST配置(禁用挤压电阻器)

仍然不起作用。

谢谢
Ritul Shah

谢谢David。

我能够在您的指导下平衡锂电池。
我要测量单个电池电压和模块电压。

根据您的情况，我需要在bFrame中看到它，但在示例代码中，此缓冲区是[132]字节。
当我观察到它的内部值时，没有值。我正在粘贴代码片段，请将其签出。

////////////////////////////

//唤醒所有设备
//唤醒音将唤醒任何已关闭的设备，电源关闭将关闭任何设备
//已唤醒。 对wake和pwrdown执行顺序的最少次数将是的一半
//主板用于覆盖已唤醒或关闭的主板的最坏情况组合。
对于(nDev_ID = 0；nDev_ID < TOTALBOARDS；nDev_ID++)
｛
nsent = WriteReg (nDev_ID，12，0x40，1，FRMWRT_All_NR)； // send out broadcast pwrdown命令
delayms (5)；//~5ms
WakePL455();
delayms (5)；//~5ms
}

//掩码客户校验和故障位
nsent = WriteReg (0107，0x8000，2，FRMWRT_All_NR)； //清除所有故障摘要标志

//清除所有故障
nsent = WriteReg (0，82，0xFFC0，2，FRMWRT_All_NR)； //清除所有故障摘要标志
nsent = WriteReg (0，81，0x38，1，FRMWRT_All_NR)； //清除系统状态寄存器中的故障标志

//自动寻址所有主板(第1.2 节)
nsent = WriteReg (0，14，0x19，1，FRMWRT_All_NR)； //在所有主板上设置自动地址模式
nsent = WriteReg (0，12，0x08，1，FRMWRT_All_NR)； //在所有主板上输入自动地址模式，此ID的下一个写入将是其地址

//设置菊花链中所有主板的地址(第1.2 3节)
对于(nDev_ID = 0；nDev_ID < TOTALBOARDS；nDev_ID++)
｛
nsent = WriteReg (nDev_ID，10，nDev_ID，1，FRMWRT_All_NR)； //向每个板发送地址
nread = ReadReg (nDev_ID，10，&Dev_id，1，0)； // 0ms超时
}

// 在堆栈中的所有板上启用所有通信接口(第1.2 ．1节)
nsent = WriteReg (0，16，0x1080，2，FRMWRT_All_NR)； //设置通信波特率并启用堆栈中所有板上的所有接口

/*更改为应用程序中使用的最终波特率(由BAUDRATE在pl455.h中定义设置)。
*到目前为止，所有通信都是250Kb，与最初完成的COMM_RESET相同
*启动时将bq76PL455A-Q1 UART重置为250Kb。 */

//配置AFE (第2.2 ．1节)

//读取设备的序列号
nDev_ID = 0；
nread = ReadReg (nDev_ID，198，&SR_num，2，0)； // 0ms超时

nDev_ID = 0；
nsent = WriteReg (nDev_ID，60，0x00，1，FRMWRT_SGL_NR)； //设置0 mux延迟
nsent = WriteReg (nDev_ID，61，0x00，1，FRMWRT_SGL_NR)； //设置0初始延迟

//配置电压和内部采样周期(第2.2 2节)
nDev_ID = 0；
nsent = WriteReg (nDev_ID，62，0xCC，1，FRMWRT_SGL_NR)； //设置99.92us ADC采样周期

//配置过采样率(第2.2 3节)
nDev_ID = 0；
nsent = WriteReg (nDev_ID，7，0xFC，1，FRMWRT_SGL_NR)； // CMD_OVS_CYCLE = 1；CMD_OVS_HPER = 3；CMD_OVS_GPER = 3；CMD_OVSMP = 4

//清除并检查故障(第2.2 4节)
nDev_ID = 0；
nsent = WriteReg (nDev_ID，81，0x38，1，FRMWRT_SGL_NR)； //清除系统状态寄存器中的故障标志
nsent = WriteReg (nDev_ID，82，0xFFC0，2，FRMWRT_SGL_NR)； //清除所有故障摘要标志

//设备配置
nDev_ID = 0；
nsent = WriteReg (nDev_ID，14，0xD2，1，FRMWRT_SGL_NR)； //配置设备

//电源配置
nDev_ID = 0；
nsent = WriteReg (nDev_ID，15，0x80，1，FRMWRT_SGL_NR)； //配置电源

//测试配置
// nSent = WriteReg (nDev_ID，30，0x0011，2，FRMWRT_SGL_NR)； //配置模块电压监控器启用

//选择要采样的细胞和通道数(章节2.2 ．5.1)
nDev_ID = 0；
nsent = WriteReg (nDev_ID，13，0x06，1，FRMWRT_SGL_NR)； //将单元格数设置为6
nsent = WriteReg (nDev_ID，3，0x0.06万C0，4，FRMWRT_SGL_NR)； //选择所有单元，AUX通道0和1以及内部数字芯片和内部模拟芯片温度

//阈值设置

//在单个板上设置电池过压和电池欠压阈值(章节2.2 ．6.1)
nDev_ID = 0；
nsent = WriteReg (nDev_ID，144，0xCCCC，2，FRMWRT_SGL_NR)； //设置OV阈值= 4.000V
nsent = WriteReg (nDev_ID，142，0xB851，2，FRMWRT_SGL_NR)； //设置UV阈值= 3.6000V

//比较器欠压阈值
nDev_ID = 0；
nsent = WriteReg (nDev_ID，140，0x50，1，FRMWRT_SGL_NR)； //设置COMP_UV阈值= 3.000V

//比较器过压阈值
nsent = WriteReg (nDev_ID，141，0xA1，1，FRMWRT_SGL_NR)； //设置COMP_OV阈值= 4.000V

//单元平衡

//平衡配置
nDev_ID = 0；
nsent = WriteReg (nDev_ID，19，0x28，1，FRMWRT_SGL_NR)； //用于平衡的常规配置

nsent = WriteReg (0，30，0x0005，2，FRMWRT_SGL_NR)； //设置BIST配置(禁用挤压电阻器)

//启用平衡FET
nDev_ID = 0；
nsent = WriteReg (nDev_ID，20，0x3F，2，FRMWRT_SGL_NR)； //平衡启用

//故障
//故障摘要
nread = ReadReg (nDev_ID，82，&FLT_SUMM，2，0)； // 0ms超时

// Fault_UV
nread = ReadReg (nDev_ID，84，&FLT_UV，2，0)； // 0ms超时

// Fault_OV
nread = ReadReg (nDev_ID，86，&FLT_OV，2，0)； // 0ms超时

// Fault_Comparator欠压
nread = ReadReg (nDev_ID，90，&FLT_COMUV，2，0)； // 0ms超时

// Fault_Comparator过压
nread = ReadReg (nDev_ID，92，&FLT_COMOV，2，0)； // 0ms超时

// Fault_Output控制
nread = ReadReg (nDev_ID，110，&FLT_OPCTR，2，0)； // 0ms超时

//设备状态
nread = ReadReg (nDev_ID，110，&FLT_OPCTR，2，0)； // 0ms超时

//自动监控
//自动监控周期
nsent = WriteReg (nDev_ID，11，0x04，1，FRMWRT_SGL_NR)； //每10毫秒读取一次值

//自动监听信道选择
nsent = WriteReg (nDev_ID，51，0x003F0080，4，FRMWRT_SGL_NR)； //自动监控频道1-6单元

//自动监控过采样
nsent = WriteReg (nDev_ID，55，0xFB，1，FRMWRT_SGL_NR)； // Samling Time 12.6 Us和8个样本均值


//读取板上的采样数据(第3.3 节)
// 24字节-仍配置为8个AFE通道加2个AUX通道以及内部数字和模拟芯片
//温度(请参阅2.2 ．5.2 部分的代码)
nDev_ID = 0；
nsent = WriteReg (nDev_ID，2，0x20，1，FRMWRT_SGL_R)； //发送读取采样值命令
nsent = WaitRespFrame (bFrame，27，0)；// 24字节数据+数据包报头+ CRC，0ms超时

//将样品请求发送到单个板以进行样品和发送结果(第4.2 节)
nDev_ID = 0；
nsent = WriteReg (nDev_ID，2，0x01，1，FRMWRT_SGL_NR)； // send sync示例命令
nsent = WaitRespFrame (bFrame，27，0)；// 24字节数据+数据包报头+ CRC，0ms超时

/* //发送带有嵌入式通道和过采样信息的采样请求(第4.3 ．1节)
nDev_ID = 3；
nsent = WriteReg (nDev_ID，2，0x0000FF03C000，6，FRMWRT_SGL_NR)； //使用channel发送SYNC示例命令
//嵌入了选择和过样选择
*/
//从单个板读取以前采样的数据(第4.3 节。2)
nDev_ID = 0；
nsent = WriteReg (nDev_ID，2，0x20，1，FRMWRT_SGL_R)； //发送读取采样值命令
nsent = WaitRespFrame (bFrame，27，0)；// 24字节数据+数据包报头+ CRC，0ms超时



//////////////////////

Ritul，

我很高兴 最后 一个帖子有所帮助。

如果要从底板读取，请尝试 以下两种方法之一：

//将样品请求发送到单个板以进行样品和发送结果(第4.2 节)
nDev_ID = 0；
nsent = WriteReg (nDev_ID，2，0x00，1，FRMWRT_SGL_R)； // send sync示例命令
nsent = WaitRespFrame (bFrame，27，0)；// 24字节数据+数据包报头+ CRC，0ms超时

确保 27个字节足以容纳每个 采样通道的1个数据包标头字节，2个CRC字节和2个数据字节。 此方法将使  pl455在   ADC 转换完成后立即将结果发送到MCU。

 

或者，您可以执行以下操作：

//将样品请求发送到单个板以进行样品和发送结果(第4.2 节)
nDev_ID = 0；
nsent = WriteReg (nDev_ID，2，0x00，1，FRMWRT_SGL_NR)； // send sync示例命令

，，，，，， 做其他的事情…

nsent = WriteReg (nDev_ID，2，0x20，1，FRMWRT_SGL_R)； //发送读取存储 值 命令

nsent = WaitRespFrame (bFrame，27，0)；// 24字节数据+数据包报头+ CRC，0ms超时

这两种方法都应该起作用   ，并且适用于从任何单个板读取。 如果 您 要 不断地轮询电池 电压，您还可以考虑 禁用自动监控 DO信息不会"冲突"并导致混淆

Ritul，


是的。 您必须将所有未使用的VSN引脚短接到使用最多的单元格。

如果您使用的是EVM，则TOP也将正确连接到BAT16。

David，

谢谢。 我已按照说明连接了未使用的导线。
现在工作正常。

David，

我正在使用您提供的代码。 我已尝试启用和禁用自动显示器。 我将在bFrame中获取附加值。

观察到的字节值相当模糊。 我无法解释。

请帮帮我。

Ritul，

我很高兴它现在开始工作。  感谢 您的更新。

Ritul，

WaitRespFrame函数之后应该有断点。 尝试在之后添加最小延迟，以便为编译器提供添加断点(或函数后面的代码行)的位置。

现在，您是在写入寄存器后读取数组内容，而不是在第308行之后存储数据。

此外，确保值以十六进制显示。 您可以通过右键单击该值并转到我认为的属性来更改该值。 然后您可以将其更改为十六进制。

戴维先生，

问题：无法读取6个通道的电池电压。

我仍然面临同样的问题。 我将向大家简要介绍我所说的一切。

1.电压采样率
nsent = WriteReg (nDev_ID，62，0xCC，1，FRMWRT_SGL_NR)； //配置电压和内部采样周期：设置99.92us ADC采样周期
nsent = WriteReg (nDev_ID，7，0xf8，1，FRMWRT_SGL_NR)； //配置过采样率：cmd_OVS_cycle =1；CMD_OVS_HPER =3；CMD_OVS_GPER =3；CMD_OVSMP =0

2.选择6个通道进行采样
nsent = WriteReg (nDev_ID，13，0x06，1，FRMWRT_SGL_NR)； // nchan：将单元格数设置为6

3.自动监控已关闭
nsent = WriteReg (nDev_ID，50，0x00，1，FRMWRT_SGL_NR)； //自动监控周期：自动监控关闭

4.请求采样和发送结果
//将样品请求发送到单个板以进行样品和发送结果(第4.2 节)
nDev_ID = 0；
nsent = WriteReg (nDev_ID，2，0x21，1，FRMWRT_SGL_R)； // send sync示例命令
nsent = WaitRespFrame (bFrame，27，0)；// 24字节数据+数据包报头+ CRC，0ms超时
Delayms(1)；

我得到的结果与先前共享的图像相同。 我期望值以连续缓冲字节为单位，但它不是。

此外，是否有一个特定的缓冲区地址，从该地址开始显示值？

请帮帮我。

谢谢
Ritul Shah

David，

通过更改上述代码，我仍然无法获得每个单元所需的电压。
如果您可以在系统中检查相同的代码，将会更加方便。 此外，我可以将我的代码共享给您以检查结果。
我在这里呆了很长时间。 请帮帮我。

谢谢
Ritul Shah

e2e.ti.com/.../bq76PL455A_2D00_Q1-Example-Code.rarDavid，

我附上了我的BQ76PL455代码。 请在附件中找到。

甚至EM1402EVM_CODE也在此控制器上运行。 电池电压测量结果与我之前获得的结果相同。 输出电压没有变化。