您好，
目前我正在更新基于BQ7.692万 IC的4芯电池设计。 为了更好地理解原理图的指导原则，我研究了各种文档，如附注，EVM用户指南，参考设计等，以使设计尽可能出色=).
在许多国家，我注意到了各种防止瞬变的保护措施。 我不确定我是否正确理解了所有这些建议。 由于我们的系统中将有30...50A电流，我想在您的帮助下确保我对所需保护设备的假设是正确的-这两种情况都不会造成过度设计或无法选择保护设备。
为了使沟通过程更容易，我制作了一个示意图(请参阅附件)，其中总结了不同文档中提到的所有功能(示意图上也可以看到文档名称)。 所有用于保护的部件都标有紫色。 由于PCB上的空间限制，我们希望尽可能消除其中的大部分，D2+D3除外。
那么...
如果在我们的设计中，我们假设电池的电源线为12AWG，3 4 cm 长，并直接焊接 到印刷电路板上，但平衡线的长度相同，AWG28，...
1) 我是否正确理解，EVM中仅在用户将很长的电线从电池连接到EVM板的情况下才需要D1？ 换言之，我们能否安全地从设计中删除D1？
2) D2 -续流二极管-我同意它是必须的。 D3-TVs -也同意，必须从"外部世界"中移除瞬变。 但是，我感觉，这两个部分没有合并成一台单向电视，比如SMBJ18A，因为某些特定原因。 我说的对吗，或者D2+D3可以轻松更换为一个组件？
3)现在让我们进入平衡电路... 在什么情况下D4，D6，D8，D10和C6，C8， 可能需要C10，C13？ -即使使用长电线，如果我们假设负载仅连接到VBAT，瞬变 是否会出现在+VC1...+VC3线路上(如果我们假设，该负载侧受到D2+D3保护，不受任何电压波的影响)？
4) D5，D7，D9，D11和R5，R8， R11，R14 -这些部件可保护平衡FET免受栅极源处的过电压影响。 同样的问题-您能否举一个实际的例子。这种过压是如何发生的？
如果我们使用的FET具有Vgs_max=+/-12V，我们是否可以从电路中移除这些部件？ 如果我们使用像DMN3067LW一样的FET，它具有栅源ESD保护(我猜这是一种内置的电视，当电压超过一些损害值时，它会导电)，会怎么样？
