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[参考译文] BQ3.411万EVM-796：在EOS学习周期的学习充电阶段检测到意外电流[LUCD]

admin
Guru**** 2322270 points
Other Parts Discussed in Thread: BQSTUDIO, EV2400
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/575064/bq34110evm-796-unexpected-current-detected-lucd-during-learning-charge-phase-of-eos-learning-cycle

部件号：BQ3.411万EVM-796
主题中讨论的其他部件：BQSTUDIO， EV2400

您好，

我正在将BQ3.411万EVM与EV2400和bqStudio一起用于测量PBA电池。 我正在尝试执行EOS学习阶段(放电前手动充电)，因此我给出EOS_EN命令，然后输入EOS_START_LEARN命令。  EOS LEARN Status寄存器中的[LCMD]和[LCHG]位均已设置，表示设备已准备好进行用户控制的充电；但是，我不断收到意外的电流检测错误([LUCD]和[LFAULT])。 当然，记忆阶段随后会自动中止。 数据表显示，如果检测到放电电电流高于特定阈值，则在充电阶段将设置此位，但电流读数都表示有效的充电电流。 有人能告诉我为什么我不断地收到他的错误吗？

谢谢。

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    TI__Guru**** 2322270 points
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    • 您好，
    • 实际电流可能与从寄存器读取的电流不同。 您可以尝试使用与充电或放电路径串联的万用表，查看电流是否与读数完全相同。

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    TI__Guru**** 2322270 points
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    当然可以。 我已经在做这件事了。
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    TI__Guru**** 2322270 points
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    有人有其他建议吗？

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    TI__Guru**** 2322270 points
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    Mark，您好！

    在充电模式下，电量监测计将检测到充电终止，然后预期充电将在“记忆请求时间”设定的时间内停止。 由于仪表没有FET控件来停止充电，因此完全充电后，它需要用户停止充电。 您可能会看到这是否是您的问题的原因。

    谢谢！

    特里
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    TI__Guru**** 2322270 points
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    • 你(们)好
    • 您能否向我显示EVM上跳线J2，J5，J10和J8的连接状态？
    • 如果连接了J10和J8，这可能是造成这种情况的原因。
    • 是否可以从bqstudio上载.gg.csv文件(日志数据)？ 我将使用具有相同配置的bq3.411万evm对您的主板进行测试。

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    TI__Guru**** 2322270 points
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    Terry，

    我知道J2和J5已正确设置(12 V PBA)。 主板未清晰标注，但看起来J8被标记为"load"，J10被标记为"LEN"。 我已经连接了这两个跳线。 为什么此配置会导致此错误？

     标记

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    TI__Guru**** 2322270 points
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    • 您好，
    • 您可以检查LEN引脚上的电压，以查看LEN的电压水平。 如果电流过高，Q4可能会打开并导致电流流经R21。
    • 您还可以上传您的寄存器配置，我将与您一起使用相同的配置重新测试EVM。

    • EOS_EN：服务终止确定启用
      请注意，如果在数据闪存中直接更改了[EOS_EN]，则应将设备重置为
      要生效的更改。

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    TI__Guru**** 2322270 points
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    Terry，

    我仍然不明白为什么流经R21的电流会导致此错误。 请您进一步解释一下吗？

    谢谢。

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    TI__Guru**** 2322270 points
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    您好，

    我尝试发送EVM上的两个命令，但EVM上未设置LUCD和LFAULT。 您是否可以上传从数据存储器导出的.gg.csv文件，我将使用您的内存配置进行测试？