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部件号：LM5113 您好，
我们正在将D类放大器中13.56MHz频率的LM5113切换为4至9 V，200-400 mA总放大器+负载消耗的电感耦合。 我不能确定FET和栅极驱动器中的耗散量与负载的耗散量。 但是，温度测量结果显示，门驱动器的附近温度达到~ 75C。 在无气流的封闭塑料外壳中，浇口驱动器正上方的塑料表面变得过热(~60C，比本应用中的要求高20C)。 为了减少产品的一般热量，我们希望两者之一
(a)有效地将这种热量从栅极驱动器中吸收，以便更好地散播(减少热点)；或
(B)降低栅极驱动器的功率损耗。
第二项需要共享原理图和波形，我很乐意应您的请求通过电子邮件进行共享。
第一个项目是一个更一般的问题：我们的主板上没有大铜线来散热，也没有任何空间来添加铜线。 那么，我们如何才能将DSBGA和附近的FET CSP封装散热？ 我们尝试添加一个与主板另一侧接触的散热器，但我们不知道如何有效(安全)地将散热器与这些小型封装进行热接触。 您推荐什么？
提前感谢您的参与。
