[参考译文] bq20z45记忆失败，VOK从未设置

您好，Onyx：

我发现VOK问题是由bq评估软件引起的，当我将bq评估软件版本从00.09 59更新到VOK时，00.09 可以正确设置。 我确认了当地FAE的CHEM ID，CHEM ID 0297对于LG INR1.865万 B42600mAh是正确的。

我们使用C/5来学习许多产品，我不认为这是根本原因。 我重做 两个学习周期，但在充电和放电后仍获得学习失败的结果，更新状态很奇怪。 请参见下面的步骤7和步骤9。

步骤1：使用正确的化学品ID，正确的数据刷新，循环计数和更新状态对.senc文件进行编程，最大100 % 错误。

步骤2：校准电池组。

步骤3：使用C/5将电池组放电至空(电压降至终端)。

步骤4：等待5小时。

步骤5：send it enable命令(0021)，设置了Bits QEN和VOK。

步骤6：使用C/2将电池组充满电，直到达到锥形电流并设置FC位。

步骤7：让它放松2小时。(Qmax已更新，更新状态为0D，最大错误保持3 %)

步骤8：使用C/5将电池组放电至终端电压。

步骤9：让它放松10小时。(Qmax未更新，更新状态保持0D，最大错误保持3 % ，Ra表已更新，但R_A标志= 0555)

e2e.ti.com/.../GG-File-Export.zip

e2e.ti.com/.../2402.Learning_2D00_Log_2D00_Data.xlsx

LG INR1.865万 B4有三个CHEM标识，您能解释一下有什么区别吗？

您好，Onyx：

参见INR1.865万 B4单元规格，最大充电电压为4.2V，但信标0260为4.3V充电电压。 您能解释一下为什么您认为0260 是正确的CHEM ID吗？ 我将尝试使用gpc。

您好，Onyx：

我尝试使用chem id 0230和0260进行学习周期，但当完成第一个周期充电并放松7小时以上时，Qmax未更新，更新状态为04，最大错误为100 %。

另外，我用C/7解除了，现在的chem id是0297。 在第一个周期充电和放松后，Qmax已更新，更新状态为0D，最大错误为3 %。 但是，当完成第一个循环放电并放松 10小时以上时， Qmax未更新，更新状态为0D，最大错误为3 %。

可能是CHEM ID不是0230，0260，0297？

您好，Onyx：

感谢你的帮助。 我将学习日志数据提交到gpc chem工具，最佳化学品ID为230。 我是否应该使用CHEM ID 230来完成学习周期？

化学ID选择工具，版本= 2.24   
  
当前拟合中使用的配置：   
ProcessingType=2.   
NumCellSeries=3   
ElapedTimeColumn=0   
VoltageColumn=1   
CurrentColumn=2   
TemperatureColumn=3   
  
最佳化学品ID：230 最佳化学品ID最大偏差，%：1.23  
  
  
  
所有ID的汇总，最大值 DoD偏差低于3 %   
  
化学ID 最大DOD错误，% 最大R偏差，比率
230 1.23 0.52   
1352 1.74 0.15   
2079 1.9 0.27   
295 1.92 0.57   
231 1.95 0.39   
253 2.04 0.22   
1647 2.09 0.38   
1340 2.12 0.26   
297 2.19 0.17   
2053 2.22 0.14   
2089 2.25 0.21   
275 2.27 1.52   
221 2.29 0.21   
1323 2.34 0.22   
1653 2.37 0.53   
239 2.41 0.25   
2078 2.45 1.92   
2077 2.46 0.49   
252 2.47 0.33   
1331 2.54 0.22   
245 2.55 0.16   
2051 2.56 0.92   
1300 2.57 0.16   
1253 2.59 0.22   
1280 2.59 0.9   
218 2.6 0.47   
2007 2.65 0.33   
1301 2.65 0.17   
2025 2.69 0.26   
260 2.7 0.15   
286 2.71 0.32   
2091 2.72 0.21   
3385 2.72 0.9   
206 2.73 0.27   
2102 2.75 0.7   
2148 2.81 0.31   
257 2.86 0.3   
269 2.86 0.2   
2084 2.9 0.24   
1325 2.91 0.25   
1351 2.92 0.35   
1594 2.92 0.92   
  
最佳ID的最大偏差在建议范围内。 所选的最佳化学ID适合对仪表进行编程。   
  
  
为基于ROM的器件(如bq274xx)选择最佳通用ID   
  
  
设备/系列1   
通用化学ID 设备/电压/化学 最大DOD错误，%
bq35427411-G1C ：4.35V LiCoO2 13.78  
3142 bq2.7421万-G1D：4.4V LiCoO2 16.16  
128 bq2.7421万-G1A：4.2V LiCoO2 34.77  
312 bq2.7421万-G1B：4.3V LiCoO2 43.68  
最佳通用ID 354   
警告：最佳通用ID偏差高于此设备/系列的建议级别。 考虑使用其他设备，基于闪存的仪表或自定义ID的RAM编程。   
  
  
设备/系列2   
通用化学ID 设备/电压/化学 最大DOD错误，%
bq1210 27621： (Alt_CHEM1) 4.3V LiCoO2 12.83  
bq35427621 ： (Alt_CHEM2) 4.35V LiCoO2 13.78  
1202 bq2.7621万：(默认) 4.2V LiCoO2 18.69  
最佳通用ID 1210   
警告：最佳通用ID偏差高于此设备/系列的建议级别。 考虑使用其他设备，基于闪存的仪表或自定义ID的RAM编程。   
  
  
设备/系列3   
通用化学ID 设备/电压/化学 最大DOD错误，%
3142 bq2.7426万：(Alt-CHEM2) 4.4V LiCoO2 16.16  
3230 bq2.7426万：(默认) 4.35V LiCoO2 17.12  
1202 bq2.7426万：(Alt_CHEM1) 4.2V LiCoO2 18.69  
最佳通用ID 3142   
警告：通用ID偏差太高，很可能是由于数据异常造成的。 请检查数据文件是否具有建议的格式，单位和测试计划   
  
  
警告：第一个OCVpoint具有非零电流I=-OCVpoint 0.003 请确保在放电开始前有2小时的驰豫期。   
警告：最后一个OCVpoint有非零电流I=-OCVpoint 0.003 请确保放电结束后有5小时的驰豫期。   

我两次尝试使用化学品ID 230进行学习，但都失败了，我没有记录数据。 GPC工具为单元显示1352和230两个不同的ID，这让人困惑。 我仍然认为INR1.865万 B42600mAh的ID为297。

通过将CC Deadband更改为较小值3.5uV，我使用Chem ID 297成功完成了两个学习周期。 这是否说“CC Deadband”必须设置为一个非常小的值才能进行Qmax更新？ 例如，我的设计容量2600mA，感应电阻器2 mΩ，C/5放电，放电时间+放松时间=10h，CC边带必须<5.2uV( 1 % 2 mΩ，是这样吗？