[参考译文] BQ2.461万：由VBAT损坏MOSFET和BQ2.461万增压

请使用新设备并在插入电池时显示示波器捕获。 探头位于VBAT1，VSW。

适配器不存在时，应在bq2.461万不切换的情况下插入VBAT。 因此，在SW节点处极不可能有29V电压，并且12伏电池热插拔。

您好，先生，

我们拆除了Q40的R736和C579，VSW从不会升至28~32V，从而损坏BQ2.461万和CSD8.733万。

为什么通过R736和C579来提高？

如我所知，TI BQ2.461万EVM建议 在输入端使用Q1和Q2。

如果我们想降低一个MOSFET的成本，如何设计？  类似的BQ2.417万数据表第28页第4季度是否正常？  

CH3= U2引脚3

CH4= U2引脚5

我假设输入源仍未连接，对吗？

在插入蓄电池时，您能否也探查V_ADP以查看是否出现故障？  

您好，先生，

我们正在尝试移除BQ2.461万EVM Q5，但我们看到VSW具有升压18V电压和电流探头测量66,4A。

如果我们在客户PCB上添加相同的Q5条件，则升压问题 解决上升 是平滑的。

如果此应用仅5~6充电器插接板的PCB上没有系统侧，那么Q5是必须的？ 还是改为 肖特基或二极管？ 或为我推荐分享？

第一个峰值电流用于为板上的盖子充电。 第二个峰是我们应该看到的。

没有Q5电流，电流直接通过电感器为输入电流充电，因此您将看到VSW过冲。  

如果没有系统，您可以使用散射二极管代替。