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[参考译文] CSD1.9538万Q3A：如何在特定应用中查找RDS (ON)

admin
Guru**** 2405830 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1091379/csd19538q3a-how-to-find-rds-on-in-specific-application

部件号：CSD1.9538万Q3A
主题： TPS2.388万中讨论的其它部件

您好，

我想获得有关CSD1.9538万Q3A的一些帮助。  

我的申请如下：  

当晶体管打开时，它会闭合电路，并且1.25 A的电流流经晶体管。 门由10 V至12.5 V控制  

当晶体管关闭时，它会断开电路，并且没有电流流动。  

要检查晶体管是否足够SOA，我需要知道 VDS的确切值。 如何知道？

i不过要使用RDS (on)计算VdS (因为用于ohmic区域) ：Vds = Rds (on)= ID  

RDS (开)显示 在图7第5页，但对于ID = 5A。

感谢你的帮助  

皮埃尔

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    TI__Guru**** 2405830 points
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    您好Pierre：

    感谢您对TI FET的关注。 您是否可以共享有关您的应用程序的其他信息？ 您是否在反馈回路中使用FET源脚中的电流感应电阻器通过调整VGS来调节流经FET的电流？ 或者，您是否只是打开FET (VGS >> Vth)，并且电流在电路中的其他位置调节？ 如果您像在饱和区域(VDS > Vgs - Vth)中使用通滤芯一样使用，那么当有电流流经FET时，我们必须注意FET的压降，以确保其在SOA限制内工作。 如果您将FET用作开关，则我们需要知道打开和关闭时间，以确定它是否在SOA中。 我期待您的回复。

    此致，

    约翰·华莱士

    TI FET应用

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    TI__Guru**** 2405830 points
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    以下是有关TI如何测试和规范SOA的有用博客的链接。

    https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/posts/understanding-mosfet-data-sheets-part-2-safe-operating-area-soa-graph

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    TI__Guru**** 2405830 points
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    您好Pierre：

    跟进以查看您的问题是否已解决。 如果我没有收到您的回复，我将假定它已解决，并关闭此线程。

    此致，

    John

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    TI__Guru**** 2405830 points
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    您好，John：

    感谢您的完整回复。 我正在实习，每 周在公司工作3天，从周一到周三。

    我正在处理不同的主题，我会尽快回答您的问题。

    此致，

    皮埃尔  

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    TI__Guru**** 2405830 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    我将使用此MOSFET或另一个MOSFET进行PoE应用，尤其是TPS2.388万。 我知道CSD1.9538万QA是在评估套件上推荐的，但我想了解如何 选择它来提供一些参考。  

    如果我了解TPS的行为，电流将通过电阻器在TPS中测量。 然后TPS将驱动闸门，以确保功能良好。  

    我知道 通过MOSFET的最大电流为1.25 A  ，如 https://www.ti.com/lit/ds/symlink/tps2.388万.pdf?ts=1649669262878&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Fproduct%252FTPS23880第1649669262878第312.388万31页所述

    此最大电流是在栅极驱动MOSFET高电流时(VG = 10至12.5 V)，因此VDS将非常小，并变为0V。 要 选择与SOA相关的MOSFET ANS，我需要1.25 A的VDS  

    如果我不清楚，请告诉我。

    此致  

    皮埃尔

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    TI__Guru**** 2405830 points
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    您好，Pierre：

    我没有参与TPS2.388万 EVM的设计，但我相信选择CSD1.9538万Q3A是因为它是小型3.3 mm 3.383A封装中的100V FET，可以处理应用的电流需求。 对于SOA，我们需要查看FET的开启和关闭时间。 如果您在100μs μ A中切换54V，则SOA电流约为5A。 我们还需要考虑FET打开时的持续电流和传导损耗。 对于10V，栅极驱动，最大接通电阻为59 mΩ Ω，1.25A持续时的传导损耗为：Pcond = 1.25A x 1.25A x 59 mΩ x 1.7 (假设TJ = 100°C，请参见数据表中的图8)= 157mW。 这完全符合该软件包的功能。 我要将此查询传递给TPS2.388万应用程序以添加其输入。

    谢谢！

    John