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[参考译文] LM5050-1:输出上的高泄漏电流

Guru**** 2325560 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5050-1
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/574118/lm5050-1-high-leakage-current-on-output

部件号:LM5050-1

大家好

让客户访问inquirye2e.ti.com/.../SCHEMATIC_5F00_LM5050_5F00_Ideal.pdf ,了解输出上的泄漏电流过大。

我正在我们的一款新产品的多个电路中使用LM5050 (理想二极管控制器),并且发现了无法解释的泄漏电流,我认为这些泄漏电流与控制器有关。

 

理想的二极管位于可变输出电源的正极支脚中(请参阅随附的)。  其目的是阻止输出导线上的较高电压。

 

我正在从独立的8V电源操作LM5050 Vs引脚,以便能够在输入上降至1V并降低偏置电流。

 

当我尝试通过47k电阻器将输出拉至24V时,我注意到理想的二极管的功率大约为300uA。

 

数据表说明了输入引脚和输出引脚在理想的非工作条件下的预期电流。 条件是Vin与Vs关联,Vout = Vin - 100mV且门打开。

在正常条件下,Vout =输入电压-25mV和Vs In通常与输出电压相连。 在我的案例中,Vs由8V电源供电,门通常连接到FET。

 

您是否知道在正常工作条件下(对于Vin = 2V和5V)以及外部提供的Vs,Iin和Iout的预期电流是多少

此外,客户已在几个板上确认了这一点。

此致

Jeff Coletti

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    Jeff,

    随附的中描述了从OUT/Vs到IN/GND的泄漏路径。   需要断开Vs或接地中的晶体管以消除。  路径为:

    Brian

    e2e.ti.com/.../4760.LM5050_2D00_1-Vout-Leakage-E2E.pdf</s>5050

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    您好,Brian

    查看数据表中"降低IQ "下的图29,两个二极管的作用是什么,一个与FET和反向二极管从接地到VIN串联? 在这种类型的应用中是否需要它们。 客户尝试添加FET,当它导致IQ死亡时,当他启用设备时,充油泵未打开以驱动PASS FET。

    此致

    Jeff

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    此外,他使用外部VCC的部分问题是什么?
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    Jeff,

    D2可防止Vin低于GND (超过DS限制)(在反极性的情况下,如汽车应用程序)。  D3用于LM5050-1的反向极性保护。  如果您没有反极性要求,可以消除这些要求。  我们实际发现,在GND中使用Q2并不能完全消除漏电路径,相反,它会将更多电流转移到IN。 消除泄漏的最佳方法是移除Vs (无需Q2)。  请参阅随附的测试报告。  Vs仍然可以是单独的电源,但使用开关控制下的晶体管来消除LM5050-1的偏压,消除了从OUT到In的泄漏。

    Brian

    e2e.ti.com/.../PMP2.0096万_5F00_LIQ_5F00_REVA_5F00_TEST_5F00_BJT.pdf