[参考译文] BQ7.693万：使用3个并行MOSFET时的9串行电池CHG/DSG应用问题

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

部件号：BQ7.693万
主题中讨论的其他部件： BQ7.7905万，CSD

您好：

我们正在调试客户的DSG路径BQ7.693万和CSD1.8542万*3并行原理图设计。

并在MOSFET开启和关闭时发现了一个环形电压

请查找随附的文件并帮助我们查找：

1.如果我们不想改变客户的布局设计，是否有任何方法(更改电压上限或其他)来降低此环形电压？

2.我们是否有任何参考文档可以为客户下次修改设计提供解决方案。

0 admin 8 年多前

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对不起，Kay，我无法打开附件。

一般情况下，MOSFET 的接通(TR)/断开(TF)操作需要具有与FET栅极的正确串联栅极电阻(rg)。这控制TR；对于第一个顺序，TF由Qg = Iddrive *(TR)= C *(Vgs)控制。请记住，dv/dt通过电容分压器CGD和CGS耦合到门中。

从驱动程序，IG=[Vgs (drive)-Vgs]/( rg + Rdrive)

同样，TF由FET的下拉电阻栅源(RGS)控制。建议通过减少外部RGS来加强下拉

对于并行拓扑中的FET，bq7.7905万 TI产品文件夹中有TI应用手册SLUA773。请从TI.com网站下载。

希望这能有所帮助

谢谢

Vish

0 admin 8 年多前

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我能够打开附件。在使用CSD FET时，用于最大程度减少振铃的浇口上的焊珠也是解决方案选项之一。我之前的博客中提到的SLUA773文档详细介绍了影响。

电源管理（参考译文帖）(Read Only)