您好,
我想在wd_reset时确认操作。
当WD重置发生七次时,TPS6.5311万将进入LPM0模式。
因此,当WD_RESET降低六次时,TPS6.5311万将保持活动模式。
因为NRE是第七个选择。
我的理解是否正确?
此致,
Kuramochi
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您好,
我想在wd_reset时确认操作。
当WD重置发生七次时,TPS6.5311万将进入LPM0模式。
因此,当WD_RESET降低六次时,TPS6.5311万将保持活动模式。
因为NRE是第七个选择。
我的理解是否正确?
此致,
Kuramochi
您好,Kuramochi-san,
WD信号被切断后,设备会等待,直到WD窗口时间(20毫秒典型值)和RESN被拉低并且错误计数器增加(EC=1)。 RESN在RESN保持时间(典型时间为2毫秒)内被拉低,RESN再次上升。 从RESN的上升沿开始,WD超时持续时间开始(典型值为300毫秒)。 如果在这段时间内未检测到WD脉冲,RESN再次变低,EC再次递增(现在EC=2)。 这将持续到EC=7,一旦EC=7,设备将进入LPM0模式,GPFET将被禁用。
因此,通过这种方法,我们可以计算出WD脉冲后设备进入LPM0模式的典型持续时间:
20ms (初始WD窗口时间)+ 2ms*6 (RESN保持时间)+ 300ms *6 (WD超时)=1832ms
我附上了一个波形,显示了WD脉冲移除对设备重置引脚(RESN,PRESN,IRQ)和VINPROT电压的影响。 一旦RESN关闭第7次,设备将进入LPM0模式,VINPROT开始关闭。 此波形几乎与我的上述计算结果匹配。
我认为在检测到WD重置事件后EC增量所需的时间将少于20us,但与其他较长的持续时间相比,此时间可忽略不计。
根据其输出负载电流和电容器的不同,输出电压可能会持续较长的时间,直到输出电容器放电。 他们可以通过在输出上应用一些虚拟负载来检查此情况。
希望这能回答您的问题。
此致,
Murthy