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[参考译文] TPS5.3355万:低侧FET主体二极管的VF

Guru**** 2318830 points
Other Parts Discussed in Thread: TINA-TI
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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/584140/tps53355-vf-of-low-side-fet-body-diode

部件号:TPS5.3355万
主题中讨论的其他部件:TINA-TI

您好,

请告诉我低侧FET本体二极管的VF规格。

此致,
柳枝

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    我认为内部FET只指定了接通电阻。  您查找本体二极管电压的原因是否特殊?

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    John San,您好!

    用于在FET未打开时计算FET的功率耗散。
    我通过TINA-TI参考设计模拟TPS5.3355万 SW波形。
    因此,VF约为211mV。 正确吗?
    我想知道参考值。


    此致,
    柳枝

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    我怀疑TINA型号仅为RDSon建模。  我预计本体二极管VF大约为0.6 V

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    John San,您好!

    在TINA-TI模拟中,我可以看到死时的压降为211mV。
    这不是低侧FET本体二极管的VF吗?

    柳枝
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    柳枝,

    我必须特别研究内部TINA模型。 211毫伏似乎比我在现实生活中看到的要低得多。 我不知道有任何肖特基型二极管的VF如此低,更不用说是一个主体二极管。