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[参考译文] TPS5.3355万：低侧FET主体二极管的VF

admin
Guru**** 2362860 points
Other Parts Discussed in Thread: TINA-TI
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/584140/tps53355-vf-of-low-side-fet-body-diode

部件号：TPS5.3355万
主题中讨论的其他部件：TINA-TI，

您好，

请告诉我低侧FET本体二极管的VF规格。

此致，
柳枝

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    TI__Guru**** 2362860 points
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    我认为内部FET只指定了接通电阻。  您查找本体二极管电压的原因是否特殊？

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    TI__Guru**** 2362860 points
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    John San，您好！

    用于在FET未打开时计算FET的功率耗散。
    我通过TINA-TI参考设计模拟TPS5.3355万 SW波形。
    因此，VF约为211mV。 正确吗？
    我想知道参考值。


    此致，
    柳枝

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    TI__Guru**** 2362860 points
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    我怀疑TINA型号仅为RDSon建模。  我预计本体二极管VF大约为0.6 V

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    TI__Guru**** 2362860 points
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    John San，您好！

    在TINA-TI模拟中，我可以看到死时的压降为211mV。
    这不是低侧FET本体二极管的VF吗？

    柳枝
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    TI__Guru**** 2362860 points
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    柳枝，

    我必须特别研究内部TINA模型。 211毫伏似乎比我在现实生活中看到的要低得多。 我不知道有任何肖特基型二极管的VF如此低，更不用说是一个主体二极管。