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[参考译文] CSD1.7575万Q3:关于Ta = 100⁰C时的结温计算

Guru**** 2318830 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/584252/csd17575q3-about-junction-temperation-calculation-at-ta-1000c

部件号:CSD1.7575万Q3

你好,团队成员

对于CSD1.7575万Q3,

⁰C ⁰C电流定义为27 A (RӨJA = 45 μ S/W,Ta = 25 μ A)。

我要⁰C Ta = 100 μ A时的允许连续漏电流,RӨJA ⁰C μ A = 45 μ S/W,Vgs = 10V/ID = 25A条件。

Ta的最大RDSon = 100⁰C 为3.91 mohm (= 2.3 mohm x 1.7)。

Ta =⁰C μ A时 ⁰C的连续漏电流为16.73 A [= ROOT ((Tjmax - Ta)/(RӨJA ⁰C x RDSon)= ROOT ((150 μ A - 100 μ A)/(45 x 3.91 mohm))]

我以上的计算是正确的?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Paul,  

    您的计算正确。 请记住,在应用中,主板的实际RthJA高度依赖于您的散热环境。 但如果我们在RthJA = 45°C/W上为Ta = 100deg基准指定电流额定值,我们将得出与您计算的电流相同的电流。  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好Brett

    我已经观看了视频"底层MOSFET数据表:电流额定值",

    下面还有其他问题,以便准确了解您在提及IDW计算示例时的观点。

    我举例说明了以下几个方便沟通的例子。

    [1]我们的SQA曲线是在TC = 25度时获得的吗?

       如果在D/ S中的TC = 25⁰C μ A时完成,则安全ID电流将会因TC的增加而更缩减。

    [2]在CSD1.7575万Q3中,使用100 usec脉冲持续时间和1 % 占空比时 ,我计算的最大IDM =486 A

        100 usec线处的SOA曲线在最大IDM Limited = 240A时满足,该值受ABS最大IDM的限制。

        我计算的IDM = 486A远高于SOA的最大IDM限制= 240A。

        因此 ,在给定条件下,最大允许IDM应低于240A,对吗?

    [3] 当CSD1.7575万Q3的脉冲持续时间和50 % 占空比为10毫秒时 ,我计算出最大IDM =153 A

         10毫秒线处的SOA曲线在RDSon Limited = 190A处满足,该处受RDSon限制。

         我计算的IDM = 153A低于SOA的RDSon Limited = 190A。

        因此,在 给定的条件下,我可以使用计算得出的最大允许IDM =153A,对吗?

    [4]对于CSD1.7575万Q3使用10毫秒脉冲持续时间和任何特定占空比的应用,

        硼级上允许的最大IDM应由"RDSon Limited"(RDSon限制)为190A,或由"ABX max IDM Limitation"(ABX最大IDM限制)为240A?    

    [4] 假设主板在   Vgs =20V时实际耗电IDW =60A,且CSD1.7575万Q的脉冲持续时间为100 usec,1 % 占空比为100,

        但是,在SOA上,Vgs =20V时,100 usec线受7A限制。

         电路板是否可以在 Vgs = 20V时消耗实际IDW = 60A?     

        SOA的目的不是这样的,对吗?

        我认为SOA 在测试时使用了调节的VDS和ID, 并且可以参照SOA比较几个FET的性能,

        所以我认为如果瞬态VdS = 20V 在很短的时间内与100usec相比会消失,一切都是可以的。

      

       

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    Paul,  

    让我逐一回答您的问题。  

    1)是,数据表SOA测试在TC = 25时完成。 如果案例温度开始升高,最大ID将会降低。  


    2)您回答正确。 240A是最大脉冲电流额定值,我们的封装工程师认为分配给Q3封装很舒服,因此在SOA上,所有高于此值的电流计算都被上限设为240A。  


    3)正确,但您仍需要注意,主板中的真实ZthJA不会在此脉冲期间过热部件。 如果您使用ZthJC曲线进行计算,只需注意主板的实际热阻抗可能会有所不同。  

    4) 190A不是来自RDSon限制线,而是来自脉冲IDM限制(因此曲线是平的)。 该脉冲持续时间(10ms)是由脉冲电流限制产生的190A。 最好不要将RDSon系列视为真正的限制。 只要您在线路上,您就可以始终应用更多的VDS以获得更多电流,但最终您将达到另一个限制(脉冲电流限制,它将是一条扁平线路,如190 A, 或最大功率限制,即向下倾斜的线路)。  

    5) SOA主要用于显示当Vgs保持在较低位置以调节源电压的漏电时FET在饱和区域可消耗的功率。 如果您计划完全打开FET (完全增强器件),则传导损耗是您最需要考虑的事项,以及您的热环境是否可以处理这些损耗。 如果您计划在低Vgs,高VDS区域中操作以限制电流一段时间(如热插拔或ORing应用),则SOA至关重要。  

    如果您询问关闭事件,则20Vds将只在极短时间内通过FET。 您必须查看波形,以准确检查FET关闭所需的时间以及这段时间内的电流。 如果在此时间间隔内功率损失很大,则SOA实际上可能经常发生,但通常关闭足够快,不会出现这种情况。