你好，团队成员
对于CSD1.7575万Q3，
⁰C ⁰C电流定义为27 A (RӨJA = 45 μ S/W，Ta = 25 μ A)。
我要⁰C Ta = 100 μ A时的允许连续漏电流，RӨJA ⁰C μ A = 45 μ S/W，Vgs = 10V/ID = 25A条件。
Ta的最大RDSon = 100⁰C 为3.91 mohm (= 2.3 mohm x 1.7)。
Ta =⁰C μ A时 ⁰C的连续漏电流为16.73 A [= ROOT ((Tjmax - Ta)/(RӨJA ⁰C x RDSon)= ROOT ((150 μ A - 100 μ A)/(45 x 3.91 mohm))]
我以上的计算是正确的？
您好Brett
我已经观看了视频"底层MOSFET数据表：电流额定值"，
下面还有其他问题，以便准确了解您在提及IDW计算示例时的观点。
我举例说明了以下几个方便沟通的例子。
[1]我们的SQA曲线是在TC = 25度时获得的吗？
如果在D/ S中的TC = 25⁰C μ A时完成，则安全ID电流将会因TC的增加而更缩减。
[2]在CSD1.7575万Q3中，使用100 usec脉冲持续时间和1 % 占空比时 ，我计算的最大IDM =486 A
100 usec线处的SOA曲线在最大IDM Limited = 240A时满足，该值受ABS最大IDM的限制。
我计算的IDM = 486A远高于SOA的最大IDM限制= 240A。
因此 ，在给定条件下，最大允许IDM应低于240A，对吗？
[3] 当CSD1.7575万Q3的脉冲持续时间和50 % 占空比为10毫秒时 ，我计算出最大IDM =153 A
10毫秒线处的SOA曲线在RDSon Limited = 190A处满足，该处受RDSon限制。
我计算的IDM = 153A低于SOA的RDSon Limited = 190A。
因此，在 给定的条件下，我可以使用计算得出的最大允许IDM =153A，对吗？
[4]对于CSD1.7575万Q3使用10毫秒脉冲持续时间和任何特定占空比的应用，
硼级上允许的最大IDM应由"RDSon Limited"(RDSon限制)为190A，或由"ABX max IDM Limitation"(ABX最大IDM限制)为240A？
[4] 假设主板在 Vgs =20V时实际耗电IDW =60A，且CSD1.7575万Q的脉冲持续时间为100 usec，1 % 占空比为100，
但是，在SOA上，Vgs =20V时，100 usec线受7A限制。
电路板是否可以在 Vgs = 20V时消耗实际IDW = 60A？
SOA的目的不是这样的，对吗？
我认为SOA 在测试时使用了调节的VDS和ID， 并且可以参照SOA比较几个FET的性能，
所以我认为如果瞬态VdS = 20V 在很短的时间内与100usec相比会消失，一切都是可以的。
