您好,
执行EMI测试后,在100 MHz至200 MHz频带中出现A级或以上的噪音。
原因是当高侧FET打开时产生噪音。
使用以下内容无法降低噪音。
在电感器前后放置铁氧体磁珠。
将铁氧体磁珠放在VIN中。
当栅极电阻和二极管插入BST引脚时,噪声降低到低于标准值。
在所附图中所示的电路中添加零部件(红色)是否存在任何操作问题?
此致,
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您好,
执行EMI测试后,在100 MHz至200 MHz频带中出现A级或以上的噪音。
原因是当高侧FET打开时产生噪音。
使用以下内容无法降低噪音。
在电感器前后放置铁氧体磁珠。
将铁氧体磁珠放在VIN中。
当栅极电阻和二极管插入BST引脚时,噪声降低到低于标准值。
在所附图中所示的电路中添加零部件(红色)是否存在任何操作问题?
此致,
是的,放置升压电阻器,如蓝色所示。 51欧姆太大,会对效率产生不利影响。 我会使用5.1欧姆的电阻,并使用从开关节点到GND的RC缓冲器作为一种自然方法。 从1欧姆(减震)和100pF (减震)开始,并开始将100pF增加到1nF,在将减震盖增加到1nF时留意电阻器的温度。 使用0805/1206尺寸1206尺寸的电阻器进行热控制。
启动二极管应该是超快二极管,TRR<50ns。 数据表似乎未提供TRR,但连接电容看起来正常。 反向电流看起来像100nA,这很好。 驱虫电流看起来有点低。 但您可以快速判断这是否正常,但检查二极管的温升。 我会使用峰值重复电流为~500mA的二极管来确保安全? 但你使用的这种二极管,也许还可以,请在长时间运行后检查温度。