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[参考译文] BQ2.5504万:VIN_DC电压下降

Guru**** 2318830 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/577990/bq25504-vin_dc-voltage-dropping

部件号:BQ2.5504万

我们使用的BQ2.5504万在VDC_IN上带有一个小型太阳能模块,在VBAT上带有一个474mF 5.5V超电压盖。 我们遇到的问题是VIN_DC下降速度相当快,而不是在MPP电压下保持固定。 每次采样事件(VOC约为4V)后,电压最初设置为VMPP,然后在下一次VOC采样之前降至< 1V。

我知道剩余的通量可能会导致Vref电容器(10nF)泄漏,但在用异丙醇(明显更干净)清洁电路板之后,问题仍然存在。

导致此问题的其他原因。

非常感谢,

Chris

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    Chris,

    在VIN_DC上,我们可以操作的最大值为3V。 您是否希望在最终应用和相同照明条件下获得4V?

    您是否可以尝试将VBAT Cap更改为更低的值(100uF),以查看它是否与启动测试相关? (这将使vstor和VBAT充电更快)

    此致,
    Gautham
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    感谢您的回复,Gautham。

    对于本模块,我们计划使用VOC为4V,但Vmpp约为2.5V。 VIN_DC上的3V最大值是否适用于VOC (仅每16秒短暂采样一次)或Vmpp (VREF_SAMP)?
    我现在也用一个较小的PV模块测试了电路,VOC为2.9V,结果相同。

    在VBAT上的100uF也会出现同样的问题。 在初始冷启动阶段(VIN_DC上为350mV)之后,它将采样VOC并将VREF_SAMP设置为看起来正确的值,但这一值随后再次迅速下降。 电容器充满电后,VIN_DC将进入VOC。

    此致,

    Chris

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    你好,Cristoph,

    由于“推荐的工作条件”表未列出VOC或VREF_SAMP的最小值和最大值,因此您应按照为VIN(DC)指定的值进行操作。

    数据表规定VIN(DC) MAX为3V (在推荐的工作条件表中)。 但是,绝对最大额定值将最大输入电压列为5.5V。 因此,任何高于3V的电压都不能正常工作,但4V不应损坏部件。

    感谢您测试VOC < 3V的不同模块。 由于您得到的结果相同,因此问题可能不在于4V输入。

    您能否在示波器上捕获此事件并将波形附加到此帖子?

    此外,您能否提供BQ2.5504万及其周围部件的示意图?

    -Joe
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    您好,Joe,

    下面附加了范围曲线:曲线1:测量VOC后,60 % MPPT设定点(VREF_SAMP)似乎正确,但电压开始下垂。 在这种情况下,在周期结束时仅约为35 %。

    原理图也包括在下面。

    谢谢!

    Chris

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    Cristoph,

    感谢您的示意图和示波器拍摄。

    跟踪1是VREF_SAMP节点? 什么是迹线2?

    是否还能捕获VDC_In和VOC_SAMP?

    此致,

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    您好,Joe,
    很抱歉之前没有指定:跟踪1是VDC_IN,跟踪2是VPAT (在本例中,VPAT上有一个470uF上限)。

    界定VOC_SAMP的问题是,将探针放在它上会改变电路,因为探针的电阻为10 Mohm,与10 Mohm电阻器接地(R2)并联,从而导致5 Mohm接地。 实现此功能的方法是移除R2,然后依靠示波器探针的10 Mohm完成分频器。 您想让我尝试一下吗?

    谢谢!

    Chris

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    Chris,

    不,这没关系,我是忽略了。 如果可以的话,我想使用VREF_SAMP。

    -Joe
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    Joe,

    尝试确定VREF_SAMP的范围时,结果看起来很奇怪,很有脉动,电路似乎没有正常工作。 我不认为我可以用我的示波器上的10 MOhm探针正确测量VREF_SAMP,因为这会使10nF电容器快速放电。

    使用更大的CREF (100nF而不是10nF)似乎有帮助,但我意识到在短采样期间,这很可能不会充电到正确的电压。

    Chris

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    Chris,

    我建议将VOC_SAMP引脚绑定到vstor以禁用内部MPPT,然后将外部电压应用到VREF_SAMP引脚。 通过这种方式,我们可以确定是内部MPPT导致了这种情况。

    另外,尝试增加C1的值。 这可能有助于输入电压下垂。

    CREF (C2)的捕获器部件号是什么?

    此问题是否导致系统的其它部件出现问题?

    此致,

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    Joe,
    回答您的问题:
    -VDC_In稳定,VOC_SAMP连接至vstor,外部电压应用于VREF_SAMP
    - VDC_In上较大的电容器(100uF)似乎没有帮助。
    - CREF (C2)的部件号:Murata GRM1885C1H103JA01D
    -尽管至少一个板存在问题,但其他功能(VBAT_OV,VBAT_OK_PROG和VBAT_OK_HYST)一般按预期工作:VBAT上的超级电容器仅充电至大约2.5V (VBAT_OV设置为3.6V),而电路保持来自VDC_In的电流。

    此外,我们还使用JFET电压随动件进行了一些测试,以在极低负载下测量VREF_SAMP (和VDC_In)。
    请参阅所附的两条迹线(第一条:Vref_SAMP,第二条:VDC_In)。 Vref_SAMP的下降速度略高于VDC_In,这与此节点一致,因为Vref_SAMP对JFET输入所造成的额外泄漏更敏感。
    我们在数据表中找不到bq2.5504万 VREF_SAMP引脚漏电流的规格。 您对此有没有更多详细信息?

    此致,
    Chris

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    Chris,

    我没有VREF_SAMP泄漏的数据。 此引脚上的电容器对于泄漏非常重要,但您使用的电容看起来不错。

    再看一下你们的原理图,我注意到电阻器RMPP。 示意图上显示DNP,您是否偶然将其填充在电路板上? 如果已填充,则可能导致VIN出现问题。

    您提到了一个从VIN中提取的板,并将超电压盖保持在2.5V。 这是一个您看到VIN驰垂的地方,还是所有主板的VIN均为驰垂?

    您是否尝试过更改该主板上的BQ设备以查看是否能解决问题?

    如果您不想使用MPPT,而更担心VIN稳定,则禁用MPPT。

    -Joe
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    Joe,

    RMPP安装在一块板上,带有6.65M电阻器(与R1的值相同),以增加VREF_SAMP设定点。 为什么两个电阻器并联是一个问题?
    我们还看到RMPP未填充的主板的VIN矢状位。

    如果没有超电容充电问题,则也会出现车载板VIN弛垂。
    不幸的是,更换BQ设备对我来说是一个挑战。

    我们确实需要MPPT功能。
    您认为现在使用更大的CREF作为解决方法有什么作用(我们需要了解此问题的最根本,但也需要尽快使用这些主板构建原型)。
    在极低的光照下,我们可能会在VIN_DC上采样VOC时难以为CREF充电,但使用例如100nF而不是10nF可以消除(或至少大大降低) VIN_DC弛垂。

    Chris
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    Chris,

    9.2 .1.2 节中有一个关于使您的ROC电阻总和等于20M的注释。 波形显示VIN弛垂,因为输入上存在某种程度的牵引。 它可以是,通过增加ROC电阻,您可以减少对输入的消耗。 这应该是一个快速测试。

    由于先禁用MPPT,然后从外部控制VREF,消除弛垂,然后CREF逐渐消除,或显著降低弛垂,因此该引脚或MPPT电路内部显然存在泄漏问题。

    您正处于时间紧张状态,因此如果提高ROC阻力不起作用,请为您的原型增加CREF。 您可能需要考虑将来使用外部MPPT控制电路,因为这似乎最有帮助。

    此致,