[参考译文] LM5021：启动问题

您好，Kuramochi-san，

回答您最新的问题：您的理解是正确的-如果COMP电压低于(VSS-OCV–0.6V)，则打嗝操作(用于过载检测)不起作用， 通常为4.6 V。但数据表显示，考虑到最坏的情况，此打嗝阈值的范围从(6.1 －0.4 = 5.7V)到(4.3 －0.8 = 3.5V)不等。 我怀疑IC的实际阈值是否与典型值相差甚远。 我假设您提出这个问题是因为测量到的COMP小于4.6V，但电路仍表现为打嗝模式。 我认为这是正确的假设吗？

我曾有过类似的想法，但打嗝的时间与原理图中显示的部件值不匹配。 从0.1欧姆到0.2欧姆的变化是否是唯一的变化？ 示意图显示红色圆圈中的0.2R，但也显示红色圆圈中的其他3个组件。 这些是否代表在原始帖子中未提及的其他更改？ Hiccup模式应根据SS CAP与计时循环。 当SS (C8.9473万)为47nF时，打嗝率应约为1秒，但示波器显示约为130ms。 C89与所示值不同，或者打嗝可能是由于与过载检测不同的情况所致。

我建议在启动过程中查看VIN电压。 如果VIN过早降至UVLO级别以下，这可能是另一个打嗝的原因。 下面是我建议的可能情况：
将Rsense (R91)增加2倍会将峰值电流降低到½ Ω。 在回扫设计(CCM或DCM)中，这会将功率吞吐量降至先前水平的¼。 因此，为输出电容器充电所需的时间将延长4倍，同时还会降低可用于为VIN上限C41和C87充电的能量。 C87显示为106 = 10uF。 相反，如果将Rsense从0.2R降低到0.1R，则吞吐量功率增加4倍，从而提高C87的充电速度。

在打嗝之间，C87必须使用R137-R139的电流从~7V充电回20V。 假设200V交流输入，282V直流/(3x470K)= 200uA–18uA (VIN启动)=~180uA / 10uF = 18V/s => 0.72s以充电13V (7V至20V，每个打嗝)。 如果C87 = 10uF，这也不符合~130ms自动加热速率。 但我相信，在高值，小尺寸MLCC电容上的20 V直流偏压可以使实际电容值相当低，因此“10uF”电容可能只有1~3uF增量值，这可以说明130毫秒的重新启动完成率。 当C87上的负载较高时，它还可以说明在启动切换过程中VIN的下降速度比预期更快。 我承认这里有几个假设可以使这种假设发挥作用，但它们并不是不合理的假设。 但仍需对其进行验证。

作为测试，我建议在C87的同时添加外部10-UF铝电解或钽电容器，并观察其对电阻器的影响。 如果我的假设是正确的，这应该会使VIN电压保持足够高的时间，以便能够启动而不会出现打嗝，即使具有¼ μ A的功率能力。 这意味着要获得更好的VIN上限，或者可能降低R140的值，或者采取其他一些方法来使VIN保持更高，更长。 当然，如果我错了，则需要对COMP，SS，VCC和CS进行进一步调查，以确定这种打嗝的根本原因，并说明其明显的重复率。

此致，
Ulrich