[参考译文] TPS5.1206万：除氧S3和S5时的放电功能

Yossi，您好！

放电功能应起作用。

从S3/S5取消确认到接收器开始的延迟时间应该很短，尽管我没有确切的数字。

谢谢

钱

您好Qian：

感谢您的回复。

我需要此功能来执行断电程序。

我没有看到放电的行为。由于设备的电源下降，断电后S3/S5的功率下降了3毫秒。

当我使用外部FET放电VTT时，它会放电5 usec。

如何获得S3/S5至VTT放电时间的实际数量？

您是否知道其他DDR4 VTT电源可以更快放电？

谢谢！

Yossi

您好Qian：

我需要它来执行DDR4的关机序列。

DDR4的通电/断电顺序为：

对于通电：VPP (2.5V)，VDD (1.2V)，VTT (0.6V)，对于断电，反之亦然。

谢谢！

Yossi

Yossi，您好！

对于断电顺序，VDD (1.2V)和VTT (0.6)是否可以同时降低，或者VTT必须先降低？

谢谢

钱

Yossi，您好！

我对EVM进行了测试，下面是VTT关闭波形。

-VDDQSNS针脚与VLDOIN短路(1.2V)

－在测试期间，保持VIN (3.3V)和VLDOIN (1.2V)处于打开状态

同时将S3和S5引脚拉低

从S3/S5引脚低位延迟约0.3毫秒后，VTT开始衰减。 VTT大约需要2.6毫秒才能降低到0伏。

用户可以先使用S3/S5针脚关闭VTT，然后关闭VDDQ (1.2V) 和VIN (3.3V)以满足关闭顺序。

我无法理解为什么无法使用S3/S5针脚确定关机顺序。

谢谢

钱

您好Qian：

非常感谢您的支持。

我不知道VTT上有多少电容。

我有~60uF，VTT放电看起来与您的测量值相同，但需要更长的时间，VDD和VPP放电更快，因此我需要使用FET主动将VTT拉下。

板上有三个DDR4插槽，因此有三个VTT电源和三个TPS5.1206万设备。

我必须将器件更改为放电FET的电阻较低的器件，而不是再添加三个FET。

谢谢！

Yossi

Yossi，您好！

您是否可以尝试保持S3和S5针脚高电平， 先关闭VLDOIN (1.2V)，然后关闭VIN (3.3V)？

由于S3和S5较高，VTT和VLDOIN应同时降低。

谢谢

钱