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[参考译文] TPS5.1206万:除氧S3和S5时的放电功能

Guru**** 2367810 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/578017/tps51206-discharge-function-when-deaaserting-s3-and-s5

部件号:TPS5.1206万

您好,

  1. 第11页表1中提到的放电功能是否正常工作?
  2. 从S3和S5退断到接收器开始的时间应该是多长?

此致,

Yossi

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    Yossi,您好!

    放电功能应起作用。

    从S3/S5取消确认到接收器开始的延迟时间应该很短,尽管我没有确切的数字。

    谢谢

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    您好Qian:

    感谢您的回复。

    我需要此功能来执行断电程序。

    我没有看到放电的行为。由于设备的电源下降,断电后S3/S5的功率下降了3毫秒。

    当我使用外部FET放电VTT时,它会放电5 usec。

    如何获得S3/S5至VTT放电时间的实际数量?

    您是否知道其他DDR4 VTT电源可以更快放电?

    谢谢!

    Yossi

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    Yossi,您好!

    TPS5.1206万数据表技术指标显示其VTT放电能力为7mA。
    TPS5.1206万支持DDR4应用程序。
    您能否告诉我为什么VTT需要在您的申请中快速放电?

    谢谢
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    您好Qian:

    我需要它来执行DDR4的关机序列。

    DDR4的通电/断电顺序为:

    对于通电:VPP (2.5V),VDD (1.2V),VTT (0.6V),对于断电,反之亦然。

    谢谢!

    Yossi

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    Yossi,您好!

    对于断电顺序,VDD (1.2V)和VTT (0.6)是否可以同时降低,或者VTT必须先降低?

    谢谢

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    您好Qian:

    VDD和VTT可以同时减少。

    谢谢!
    Yossi
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    Yossi,您好!

    我对EVM进行了测试,下面是VTT关闭波形。

    -VDDQSNS针脚与VLDOIN短路(1.2V)

    -在测试期间,保持VIN (3.3V)和VLDOIN (1.2V)处于打开状态

    同时将S3和S5引脚拉低

    从S3/S5引脚低位延迟约0.3毫秒后,VTT开始衰减。 VTT大约需要2.6毫秒才能降低到0伏。

    用户可以先使用S3/S5针脚关闭VTT,然后关闭VDDQ (1.2V) 和VIN (3.3V)以满足关闭顺序。

    我无法理解为什么无法使用S3/S5针脚确定关机顺序。

    谢谢

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    您好Qian:

    非常感谢您的支持。

    我不知道VTT上有多少电容。

    我有~60uF,VTT放电看起来与您的测量值相同,但需要更长的时间,VDD和VPP放电更快,因此我需要使用FET主动将VTT拉下。

    板上有三个DDR4插槽,因此有三个VTT电源和三个TPS5.1206万设备。

    我必须将器件更改为放电FET的电阻较低的器件,而不是再添加三个FET。

    谢谢!

    Yossi

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    Yossi,您好!

    您是否可以尝试保持S3和S5针脚高电平, 先关闭VLDOIN (1.2V),然后关闭VIN (3.3V)?

    由于S3和S5较高,VTT和VLDOIN应同时降低。

    谢谢