This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/578401/tps54335a-low-side-fet-capacitance
我的客户想知道 TPS5.4335万A中底部MOSFET的漏极至源电容，以便确定R-C缓冲器的尺寸。 您能提供帮助吗？
谢谢！
您好，Allen：
以下是我们设计师的回复：
由于我掌握的数据有限，335 LSFET的寄生电容大约是，希望这对您来说没问题。
CGD≈0.113nF；
CISS (CGS+CGD)≈0.126nF；
Coss (CGD+CDs)≈0.113nF，我没有CD数据，我认为它应该很小，因为我们使用LDMOS作为LSFET。
BRS，
Ryan
对于RC缓冲器设计，您也可以考虑以下文档：
e2e.ti.com/.../5353.RC-Snubber.pdf
感谢John Tucker， 这 是一个更好的解决方案。
