主题中讨论的其他部件: LMG3522R030, LMG3425R030
在 图腾柱PFC中测试LMG3525R030-Q1时,在低电压(直流侧约36V)下,低侧GAN FET发生故障。 LDO5V出现故障,LDO5V和GND之间的电阻仅为几欧姆,GAN FET在通电时无法提供5V电压。
我们开始在更低的电压(8V)下进行测试,以降低设备故障的风险,并且在下图所示的电感器电流零交叉后,我们发现开关节点处出现电压峰值。 每行循环都会出现此峰值。
C1是在微控制器处测量的低侧GAN FET的门信号
C2是开关节点处相对于直流的电压,使用差分探针测量
C3是在微控制器上测量的高侧GAN FET的门信号
C4是电感器电流
我们怀疑这与理想的二极管模式有关,但我们不确定这会如何发生。 这是否是设备故障的原因?