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部件号：LM5175-Q1 您好，我目前正在测试一种使用LM5175-Q1的设计，它具有6.5 -32V输入和24V 12A输出。 所有组件值 都是 从QuickStart工具派生的。 在负载测试0 3.5 安培时，电路在整个输入电压范围内正常工作。
正在测试电路，输入电压为30V，负载电流为3.5A。 电路仍提供预期的24V输出。 在关闭电子负载几秒钟后，输出电压快速振荡，然后稳定到4伏左右。 此时，高侧降压MOSFET触感极热。 电路完全断开并冷却。
在持续卸载测试时，无论输入电压如何， 输出上的电压变化范围为0至4.5V左右。 降压和升压端MOSFET似乎同时切换。 无论输入如何，所有四个MOSFET门的占空比都保持不变。
以前我曾经历过降压侧门驱动器电路在测试中被破坏。 为解决此问题，在每个引导节点和交换节点之间安装了8.1V齐纳二极管。 我想知道当前的问题是否与稳定性有关，或者内部电路是否再次损坏。 如果是，您是否有任何想法可能会导致芯片损坏？
示意图(未显示8.1V齐纳二极管，未实施并行MOSFET)：
PCB顶部和底部层：
7伏输入(HDRV1，LDRV1，HDRV2，LDRV1，SW1， SW2)：
26 V输入 (HDRV1，LDRV1，HDRV2，LDRV1，SW1， SW2)：
