[参考译文] LM7.4502万：长时间夹紧电压(1h - 48V输入至38V输出)

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1092780/lm74502-clamping-the-voltage-for-long-durations-1h---48vin-to-38vout

部件号：LM7.4502万

尊敬的各位：

根据已关闭的链接主题，我尝试使用LM7.4502万EVM亲自运行测试

按照用户指南说明中的步骤使用LM7.4502万EVM，以便在输入电压过高时夹紧输出电压

输出负载约为18.5 欧姆，因此输出电流在大约38V时为2安培

当输入电压小于39V时，输出电压=输入电压

当输入电压为39V或更高时，输出电压为脉动，从37.4V至31.1V。

我还测量到温度迅速升高(例如，第一个MOS I在Vin = 39V时测量到120摄氏度)

当我试图将输入电压提高到48V时，发生了短路，现在EVM不再工作。

我想知道您是否可以帮助我们并运行测试。如果您已经对测试的原因有了一些意见，那就更好了。

此致，
PA Burdet，AFAE

2 年多前

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 1791630 points

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您好，Paul

在OV锁模模式下操作LM7.4502万时，输出处的波纹应正常。这是因为使用了硅酮接通/断开过压比较器来打开或关闭输出以夹紧电压。

在设计OV夹紧时，必须牢记FET SOA，因为在这种情况下，FET上会出现巨大的VDS降。功率消耗过大是FET加热的原因，而短路的原因与在应用48V输入时超出FET SOA的原因相同。

谢谢，此致

Divyanshu

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 1791630 points

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您好，Divyanshu：

非常感谢您的反馈。

我不明白，为什么FET上会出现较大的VDS下降？ -有一个降是，但当FET关闭且输出电流为0A时。

在我看来，损失是：

输出电压>电压比较器-->关闭状态-->功率耗散VDS x输出电压= VIn-Vout x 0A (关闭)= 0W
输出电压<电压比较器(为输出电容器充电)-->接通状态-->每个FET的功率耗散= RDSon * I^2--> 11mOhm x 2A x 2A = 44mW

加上使用LM7.4502万而不是LM7.4502万H (上升时间较慢)时可能会产生影响的开关损耗。

我错过了什么吗？

非常感谢！

此致，

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 1791630 points

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PS：让我们再思考一下：当从关闭转换为打开时，当输出电容器正在充电时，VdS会明显下降，电流显著增加。

这在很大程度上取决于输入源阻抗和输出电容器，这可能是在那段时间内FET过热...

0 admin 2 年多前

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您好，Paul：

是的，您的想法是正确的。电流不是连续的0A，但当FET在开/关期间打开时，电流流经FET，从而加热FET。

以下波形显示LM7.4502万的OV夹具行为。如上所述，当FET开启时，电流会定期流动-

谢谢，致以诚挚的问候

Divyanshu

电源管理（参考译文帖）

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[参考译文] LM7.4502万：长时间夹紧电压(1h - 48V输入至38V输出)