[参考译文] BQ7.6952万：使用低侧FET：充电FET驱动器元件额定值

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1096226/bq76952-using-low-side-fets-charge-fet-driver-component-ratings

部件号：BQ7.6952万

您好，

我指的是“使用低侧FET ”应用说明(图2-4)，我有一些如下所示的疑问：

Q3，D1和D3的当前额定值应该是多少？我正在使用" LM5111-1M/NOPB"栅极驱动器，其电流源容量为3A。
这些部件的额定电压应该是多少？根据16芯配置，额定值是否应大于67.7VDC？
16芯中第4季度配置的V和I额定值是多少？

请告诉我。

谢谢！！！

3 年多前

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2390735 points

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你好，Alex，

我们正在努力回答您的问题，并将在明天结束前回复。

谢谢！
Caleb

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2390735 points

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您好，Caleb，

谢谢，我们将等待您的回复！！！！

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2390735 points

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您好，Caleb，

还有一个问题，我可以使用P通道MOSFET而不是晶体管Q4吗？

根据我的研究，我选择了附件图片中所示的组件。

Q36和Q40是P通道MOSFET，其额定电压为VdS =-20V，ID =-2A。二极管具有快速恢复功能，1A额定电流。

请告诉我您对同一问题的意见。

谢谢！！！

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2390735 points

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你好，Alex，

是的，这些值对于二极管应该是合适的，您可以参考"使用低侧FET "文档中的图5-9进行确认。我建议您的MOSFET的额定值为VDS =-40V。这就是我们设计的评级。

可以将P通道MOSFET用作Q4。图2-4中对此作了说明。

谢谢！
Caleb

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2390735 points

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您好，Caleb，

请问为什么要使用VdS =-40V的MOSFET？

栅极驱动器在输出处提供的电压不超过12V，因此我想使用VDS =-20V的MOSFET。

请告诉我。

此致，
伊山

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2390735 points

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你好，Alex，

这就是我们在设计中使用的MOSFET的VDS值。但是，VDS =-20时，您应该可以正常工作。

谢谢！
Caleb

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[参考译文] BQ7.6952万：使用低侧FET：充电FET驱动器元件额定值