您好,
我们只是在尝试设计一个非常高电流和非常高效的BLDC控制器,为此,由于额定电流将持续保持在300A左右,我们需要使用许多并行MOSFET, 我们确实使用这种拓扑设计了许多驱动器,但在所有这些驱动器中,我们每条线路使用一个半桥栅极驱动器来驱动所有并行高侧和低侧MOSFET,当然,我们采用了每个MOSFET的单独栅极电阻。 然而,由于各种原因,包括MOSFET之间的差异等,我们在这种拓扑结构中会遇到振荡和引导带电容器之间的急剧峰值。
然而,为了在驱动MOSFET和尽量减少振荡方面获得最高性能,我们将在每条引脚上使用一个半桥栅极驱动器,因此我们基本上是要使引脚平行,而不是并联单个MOSFET。 例如,在下图中,我们将创建以下3相逆变器的多个实例,并将其OUT1,OUT2和OUT3连接在一起, 在每个逆变器中,每条线路的GLX和GLX将仅使用1个半桥栅极驱动器驱动,因此我们希望拥有最快和最高的开关质量,因为每个MOSFET都有单独和独立的回路,用于下沉和输出。
现在我想问的是,这种方法使逆变器与MOSFET平行有何影响? 是否有任何具体的情况需要我们深入关注或有任何具体的关切?
此致
John