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部件号：UCC2.72万A 您好，
我们只是在尝试设计一个非常高电流和非常高效的BLDC控制器，为此，由于额定电流将持续保持在300A左右，我们需要使用许多并行MOSFET， 我们确实使用这种拓扑设计了许多驱动器，但在所有这些驱动器中，我们每条线路使用一个半桥栅极驱动器来驱动所有并行高侧和低侧MOSFET，当然，我们采用了每个MOSFET的单独栅极电阻。 然而，由于各种原因，包括MOSFET之间的差异等，我们在这种拓扑结构中会遇到振荡和引导带电容器之间的急剧峰值。
然而，为了在驱动MOSFET和尽量减少振荡方面获得最高性能，我们将在每条引脚上使用一个半桥栅极驱动器，因此我们基本上是要使引脚平行，而不是并联单个MOSFET。 例如，在下图中，我们将创建以下3相逆变器的多个实例，并将其OUT1，OUT2和OUT3连接在一起， 在每个逆变器中，每条线路的GLX和GLX将仅使用1个半桥栅极驱动器驱动，因此我们希望拥有最快和最高的开关质量，因为每个MOSFET都有单独和独立的回路，用于下沉和输出。
现在我想问的是，这种方法使逆变器与MOSFET平行有何影响？ 是否有任何具体的情况需要我们深入关注或有任何具体的关切？
此致
John
