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[参考译文] TPS2.3523万:用于TPS2.3523万的功率MOSFET

Guru**** 2535750 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1096883/tps23523-power-mosfets-for-use-with-tps23523

部件号:TPS2.3523万
主题中讨论的其他部件: CSD1.9536万KTT

TPS2.3523万的成功部署取决于执行热插拔的MOSFET。 TI能否推荐用于 此容量的表面安装MOSFET?  除了表面安装外,所需MOSFET还需要具有至少150V的VDSmax和< 5mOhm的RDS (接通),以保持工作温度受控。 预计最大负载电流可能高达30A。 同样重要的是,所有SOA至少应有一个30 % 裕度(根据用于TPS2.3523万的TI计算器工具)。 理想情况下,只有一个MOSFET由栅极和GATE2控制,但将两个MOSFET平行放置在一个或两个位置并不是一个止点。  

谢谢。

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    您好,Jhon:

    欢迎来到E2E!!! 感谢您对TPS2.3523万的关注。

    CSD1.9536万KTT可用于热交换功能。 它具有较低的RDSON和良好的SOA。

    IPB073N15N5:ORing电路150 V MOSFET

    IRFB4227PbF: 用于ORing电路的200 V MOSFET

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    您好,Avishek,

    感谢您的快速响应。 我发现我读取CSD1.9536万KTT的SOA曲线不正确。 我现在意识到,DC曲线是最坏的情况,ISOA (100ms)和ISOA (1000ms)不能低于DC情况。 但是,即使使用这些更正值,TPS2.3523万基于Excel的TI计算器工具仍返回以下SOA:
    1) SOA利润:热短/开始短0.62   
    2) SOA利润:启动               2.45
    3) SOA利润:电流限制           1.87

    这意味着我不能将CSD1.9536万KTT用于此应用程序。 欢迎提出任何其他建议。

    此致,
    JW万豪酒店  
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    您好,Jhon:

    请分享设计计算器。 让我看看。  

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    e2e.ti.com/.../TPS2352X_5F00_Excel_5F00_Tool_5F00_Web_5F00_RevBEXP.xlsx

    您好,Avishek,  

    希望您能够打开此程序。 它还包含计算器的最新状态。

    此致,

    JW万豪酒店

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    抱歉,我刚刚发现未正确保存值。 请尝试此操作。

    e2e.ti.com/.../TPS2352X_5F00_Excel_5F00_Tool_5F00_Web_5F00_RevBEXP2.xlsx

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    请查看修改后的设计计算器,如果有任何疑问,请告诉我。  

    e2e.ti.com/.../TPS2352X_5F00_Excel_5F00_Tool_5F00_EXP2_5F00_Modified-by-TI.xlsx

    PSMN4R8-100BSE可用作Q1以满足SOA要求。  

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    您好,Avishek,

    我承认PSMN4R8-100BSE在Q1位置,3个平行CSD1.9536万KTT在Q2位置的配置提供了一个有效的解决方案。 但是,我在第1季度同时使用2台PSMN3R7-100BSE,在第2季度同时使用另外2台,这同样有效。  

    此致,

    JW万豪酒店