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[参考译文] BQ2.5792万EVM:未获得我理解的结果

Guru**** 2468610 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1095944/bq25792evm-not-getting-results-i-understand

部件号:BQ2.5792万EVM
主题中讨论的其他部件:BQ2.5792万

使用单节电池配置时,我正在VAC1输入上使用5V/3A适配器,但无法获得BQ为单元充电,即使它报告正在充电(STAT LED亮起,ADC控制reg 0x2E位7设置为1)。 IBAT电流仍报告为0mA,但直插式安培表(带电池)显示约160mA的恒定_漏电_。  

我没有热插拔电池,也没有无意中调换电池的导线。 几天前刚开始使用此芯片-似乎过于复杂,或者我在这里犯了一些愚蠢的错误。 感谢您的帮助。

BQ2.5792万转储
注册十六进制二进制文件
REG 00:0x0C 0.11万b
第01条:0x01A400万 00000011.01万b
REG 03:0x00C80000000011001000b
REG 05:0x2D 10.1101万b
REG 06:0x008F 00000000100011b
REG 07:0x8F 10.0011万b
第09章:0x0.5万 0000.0101万b
REG 0A:0x2.3001万 0010.0011万b
REG 0B:0x00DC 0万11011100b</s>1101.11万
REG 0D:0x4B3D 100.1011万00111101b</s>11.1101万
REG 0E:0x3D 11.1101万b
REG 0F:0xA210100010b
第10条:0x8.01万 1000万b
第11条:0x4.001万 0100万b
REG 12:0x0万 0000万b
第13条:0x4.101万 0100.0001万b
REG 14:0x9.61万 1001.011万b.
第16条:0xC011000000b
第17条:0x7A 111.101万b
第18条:0x5.401万 0101.01万b
REG 19:0x008F 00000000100011b
REG 1B:0x0B 0.1011万b
REG 1C:0x6A 110.101万b
REG 1d:0x0.1万 0000.0001万b
REG 1E:0x5.001万 0101万b
REG 1F:0x0万 0000万b
REG 20:0x0万 0000万b
REG 21:0x0万 0000万b
REG 22:0x0万 0000万b
REG 23:0x0万 0000万b
REG 24:0x0万 0000万b
REG 25:0x0万 0000万b
REG 26:0x0万 0000万b
REG 27:0x0万 0000万b
REG 28:0x0万 0000万b
REG 29:0x0万 0000万b
REG 2A:0x0万 0000万b
REG 2B:0x0万 0000万b
REG 2C:0x0万 0000万b
REG 2d:0x0万 0000万b
REG 2E:0x8.01万 1000万b
REG 2F:0x0万 0000万b
REG 30:0x0万 0000万b
REG 31:0x0亿 0000000亿b
REG 33:0x0亿 0000000亿b
第35条:0x15.08000101亿 0001011亿b
第37条:0x15.02000101亿 0001011亿b
REG 39:0x0亿 0000000亿b
REG 3B:0x0FD200.0011万 0000111101.001万b
REG 3D:0x0F960000111110010110b
REG 3F:0x2.53亿 00000010.01010011亿b
REG 41:0x003C 0万00111100b</s>11.11万
REG 43:0x0亿 0000000亿b
REG 45:0x0亿 0000000亿b
REG 47:0x0万 0000万b
REG 48:0x0.8万 0000.1万b

VBAT 0x0FC0:4032 mV
ibat 0x0000 :0 mA
VBUS 0x1511:5393 mV
iBus 0x0000 :0 mA
Vsys 0x0F8E:3982 mV
VAC1 0x150E:5390 mV
VAC2 0x0000 :0 mV

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    我在BQ2.5792万 EVM中测试了您的注册文件,它工作正常。 直列式安培表可能会导致其串联电阻问题。 您是否尝试移除电流表?

    顺便说一句,我建议不要将VSYSMIN设置为高于充电电压。 断开电压输入后,电池充电器将无法维持VSYSMIN,电压将降至电池电压。

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    我确实拆下了安培表,结果是一样的。 移除VAC后,我无法再与设备通信,这意味着i2c在使用电池电源时无法正常工作?  总之,这看起来很腥,闻起来就像一个碎芯片!

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    我明白了。 我认为芯片还没有被破坏。 可能是输入MOSFET。 是否可以缩短跳线JP3? 这将直接将VAC1连接到VBUS并绕过输入MOSFET。

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    我又花了一天的时间来记录这件事,无论VAC是否桥接,使用输入1与输入2,我所看到的数据都毫无意义。 事实上,芯片现在读取的电压低于2.5V (vsys,VBATT),即使它由良好的稳定5.2V/3A的VAC输入和3.8V 1.865万供电。 似乎这种芯片确实是吐司。 很棒!  真是浪费。

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    是的,我是直接从TI购买的,不管怎样,这是可以退回和更换的吗?

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    在此之前还需要运行一些测试。

    您能否发送主板的图片以便我检查以确保跳线位于正确的位置?

    仅连接蓄电池时,BAT TP是否测量正确的蓄电池电压? 如果是,SYS = BAT吗? 如果是这样,您能否通过I2C通信?

    如果您可以通过I2C通信,请勿更改寄存器并连接VBUS。 您是否可以测量SW1或SW2上的开关?

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    根据BQ2.5792万,在未连接Vac的情况下,Vbat处于3.79 电压下,Vsys位于3.76。 DVM显示电池处测得的3.81。 不带Vac输入时I2C工作正常。  我没有获得芯片来为电池充电(即使LED已打开),事实上,电池正在通过EVM缓慢放电。  已附加EVM图片。

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    跳线位于正确位置。 当您连接VBUS时,是否可以测量SW1的开关?

    在未通电的情况下,您是否还可以测量VBUS至GND,REGN至GND,PMID至GND,VBAT至GND和SYS至GND之间的电阻?

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    在连接VBUS并安装了大部分充电电池的情况下,SW1的电压为恒定的2 VDC。 如果没有电池或电池大部分没电,SW1会在0和2VDC之间切换,间隔时间为600毫秒,这种信号应该是什么样子?

    未安装VBUS或蓄电池时 ,R值为:

    VBUS - GND:未获得稳定的R读数。 正在充电/放电,R读数介于500k和几兆之间

    REGN -接地:4k7

    VBAT -接地:31E

    SYS - GND:无穷大/极高。

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    31E的电阻值是31欧姆吗?

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    是的

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    那片绝对是死的。 VBAT到GND的测量值应约为1兆欧。 我将负责更换。

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    谢谢,我在下午给您发送了一些您可能需要的装箱单信息。