[参考译文] TPS7B8401EVM：相位裕度测量

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部件号：TPS7B8401EVM
主题中讨论的其他部件： TPS7B84-Q1

大家好，

我使用FRA测量了TPS7B8401EVM的相位裕度(NF Corporation FRA5097)。我得到了下面的图表，这是自然的吗？连接时，输出电压= 3.3V，测量时输入电压= 12V，输出电流= 50mA。添加了一个50Ω Ω 电阻器作为注射电阻器。

如果您有任何测量结果，请分享。我还对使用EVM的测量是否会使结果与批量生产IC (TPS7B84-Q1)的结果有所不同感兴趣。

此致，

藤本正茂

4 年多前

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2815435 points

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藤本您好！

你附上的图表对我来说很好。您可以对它们的增益进行评估。请注意，相位/增益裕度测量值将随负载电流(IOUT)，输出电容器(cout)，馈入电容器(CFF，如果使用)，环境温度和余量(VIN - VOUT)而变化。因此，批量生产的IC将不具有唯一/设置相位裕度值，但该裕度将取决于以上列出的参数并随这些参数而变化。 EVM上的器件可调节版本可用于进行合理精确的相位裕度测量。谢谢！

此致，

Srikanth

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2815435 points

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感谢您的回复！我觉得增益的降低过大，但根据EVM中安装的元件，可能会出现这样的结果，对吗？特别是这次，使用默认的10μF (μ s)可能会影响结果。我想仔细检查您提到的参数并继续测量。我感谢您的宝贵反馈。

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2815435 points

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藤本您好！

增益下降似乎接近每十年频率-20dB，这并不罕见。谢谢！

此致，

Srikanth

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