[参考译文] BQ7.694万：AFE和开关板分离

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部件号：BQ7.694万

你好

我们正在使用AFE BQ7.694万设计BMS，以满足250安培的电流需求。我们希望设计两个独立的主板，一个包括AFE和MCU，另一个带有开关MOSFET的主板。设计用于低侧切换。我想了解一些事情...

1我们是否可以将VC0端子用作电路板1的接地折射。

2 AFE BQ7.694万可驱动多少个并联电荷和放电MOSFET。 AFE BQ7.694万的CHG和DSG引脚的输出电流是多少。

3如果我必须使用栅极驱动器，如何计算栅极驱动器可以驱动的并联电荷和放电MOSFET的数量。

4栅极驱动器IC建议。

0 admin 3 年多前

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嗨，Syed，

1.您可以使用VC0作为接地参考，就像BAT-一样，只需确保与其它PCB的任何连接都在过滤器电阻器和电容器之前，以便没有噪音进入VC0引脚。

2. MOSFET数量取决于FET规格。引脚的额定电流不是以安培为单位，其特征是数据表中所示的上升和下降时间。本文档第14页中介绍了更多信息。 https://www.ti.com/lit/an/sluaa09a/sluaa09a.pdf?ts=1652898259845&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Fproduct%252FBQ76952 它7.6952万它是为另一个设备系列制造的，但充电泵的工作原理相同。

3.这也取决于您的FET规格。

4.您可以在此处查看我们的FET驱动器系列。您可以快速搜索并选择MOSFET作为您的交换机类型，低侧驱动器作为您的拓扑，输入VCC作为12V，栅电荷作为所有FET的总电荷。 https://www.ti.com/power-management/gate-drivers/overview.html

0 admin 3 年多前

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你(们)好

感谢您的宝贵回复。

1请详细说明第1点，特别是关于连接优先级。

2关于浇口驱动程序选择，我已经做了一些基本计算，如果我错了，请纠正我。

我正在使用栅电荷Qg为205nC的MOSFET。所以如果我要并联使用20个MOSFET，总栅极电荷将是205*20=4100nC。以500ns的上升时间来说，IPEAK将是Q/t I e 4100/500=8.2A，因此我必须选择一个能提供大于或等于8.2A峰值电流(IPEAK)的栅极驱动器。

我对选择栅极驱动器IC的基本理解是否正确。

选择Gate驱动程序时需要考虑的任何其他事项。

0 admin 3 年多前

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您好，Syed，

1.参考下面的屏幕截图，建议您在图片上绘制的红色节点处连接板1的接地参考。

2.是的，您的计算是正确的。我不确定在选择栅极驱动器时是否还有其他考虑因素，因为这超出了电池管理的范围。此产品看起来非常适合您的应用程序。 https://www.ti.com/product/UCC2.7614万我将通过E2E联系支持团队以了解任何进一步的问题。

谢谢！
Caleb

0 admin 3 年多前

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