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部件号:TPS7.4801万 您好,
由于布局限制,我正在使用相同的电源3V3进行偏置和输入。 输出设置为1V8。 在验证时,输出电源似乎在 -40°C至85°C的不同温度条件下工作正常
我知道LDO NMOS拓扑必须在偏置输入输入上具有更高的电压才能正确偏置通过FET的门,因此我的问题是 ,即使部件工作正常,是否存在任何风险?
谢谢。
/Zakaria。
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您好,
由于布局限制,我正在使用相同的电源3V3进行偏置和输入。 输出设置为1V8。 在验证时,输出电源似乎在 -40°C至85°C的不同温度条件下工作正常
我知道LDO NMOS拓扑必须在偏置输入输入上具有更高的电压才能正确偏置通过FET的门,因此我的问题是 ,即使部件工作正常,是否存在任何风险?
谢谢。
/Zakaria。
您好,Zakaria:
如果VIN低于VOUT + 1.62V (您的应用属于该值),则需要使用偏置轨,如数据表第6.3 节中的注释(1)所述。 不幸的是,尽管输出电压为1.8V且无负载,但LDO在压降模式下运行,这也是负载调节非常差的原因。 您从设备获得的PSRR在跌落时也会降级,瞬态性能也可能受到影响。
尽管如此,我的建议是不要像这样使用此设备,但如果您想尝试不再以这种方式使用它,最终将由您决定。
此致,
尼克