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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1101344/lm5145-q1-output-current-sinking
LM5145的输出吸入FET能否吸收来自负载的8安培电流？
Dave，您好！
"输出漏电场效应管"是非标准术语，我假设您指的是低侧场效应管。 LM5145是一个降压控制器，其电流来自负载。 电流阱仅在输出电压过冲其设定点时发生瞬时(例如，在负载瞬时期间)。在这种情况下，低侧FET保持打开，以增加电感器电流负值，并根据需要释放输出电容。
此致，
蒂姆
来自负载的电压将 高于降压控制器输出，因此它需要在指定的时间间隔内吸收电流。 降压控制器还将在指定的时间间隔内提供电流。
这适用于我过去使用的TPS4.017万。 我想为同一应用程序切换到LM5145。
好的，如果它适用于TPS4.017万，则LM5145应该正常(两个部分的环路结构实际上相同)。 控制器本身不会吸收任何电流，而是功率级。 回路将作出响应，使VOUT降低到其设定的设定点。
谢谢Tim， 我一定要试试
谢谢，Dave。
