[参考译文] LM7480-Q1：SIMetrix模拟中出现错误

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1100703/lm7480-q1-error-in-simetrix-simulation

部件号：LM7480-Q1
主题中讨论的其他部件：TPS2HB16-Q1， LM7.48万 -Q1， PSPICE-for TI，

仿真环境是 SIMetrix-SIMPLIS元素，我下载了“LM7.48万－Q1 PSPICE瞬态模型”，并将“LM7.48万－Q1_TRANS.LIB ”拖到仿真软件界面上。当我完成原理图时，单击“模拟”按钮，但出现错误：“找不到子电路'LM7.48万－Q1_TRANS'或“缺失节点”。本设备有2个终端"。我尝试使用另一个IC (TPS2HB16-Q1)时出现相同的错误。为什么以及如何在我的模拟中使用TI器件模型？

3 年多前

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2553260 points

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您好，

LM7480-Q1 PSpice 模型仅用于PSpice仿真器。我们只能在PSpice，PSPICE-for TI和TINA上支持模型查询。

遗憾的是，我们无法支持SIMetrix-SIMPLIS上的问题。感谢您的理解。

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2553260 points

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感谢您的回复，实际上我需要使用7.48万模拟输入保护电路的输入浪涌电流，HGATE PIN中没有RC滤波器，所以我可以认为MOS在通电时立即打开吗？即，我是否可以缩短MOS并移除7.48万以继续模拟？

此外，我是否应该在MOS的G和S之间添加一个10k电阻(R701 R702)？

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2553260 points

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您好，

HGATE源电流为55uA。源电流设计为较低，因此负载开关FET (Q701)的开启速度较慢，以避免高浪涌电流。

您可以使用栅极源电流= 55uA和FET输入电容计算FET接通时间。

MOSFET的栅极源之间不需要10kohms电阻。

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2553260 points

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您好，感谢您的建议！为什么不需要MOS的G-S之间的10k电阻器？您的意思是9.48万已有电阻器或类似电路，以防止在G-S中没有信号时MOS意外导电？
此外，我想移除Q701并添加0r，但我也需要浪涌电流限制功能。DGATE是否可以控制输入电流限制的Q704？从数据表中，DGATE的源电流为20mA，比HGATE大得多

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2553260 points

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您好，

是的，LM7.48万－Q1在门源之间具有内部下拉功能，以避免FET错误接通。

如果没有 Q701，则不会填充，因此无法限制路径中的浪涌电流。这是因为Q704的本体二极管即使在FET关闭时也会传导不中断的正向电流。

电源管理（参考译文帖）

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