您好!
我使用的是具有3V 电池 VBAT 电压的 TPS61020。 使能 引脚通过外部 MOSFET 进行处理、如下所示。 启动时,当我启用 MOSFET V90 (BAT_EN = 1)时,我会看到 EN 引脚上的毛刺脉冲,最高可达7V。 这是在 MOSFET V90的漏极上观察到的。 但在 V88的阳极上看不到它。 这样做的原因是什么? 这是否可以接受? 如何避免这种情况?
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我使用的是具有3V 电池 VBAT 电压的 TPS61020。 使能 引脚通过外部 MOSFET 进行处理、如下所示。 启动时,当我启用 MOSFET V90 (BAT_EN = 1)时,我会看到 EN 引脚上的毛刺脉冲,最高可达7V。 这是在 MOSFET V90的漏极上观察到的。 但在 V88的阳极上看不到它。 这样做的原因是什么? 这是否可以接受? 如何避免这种情况?
您好、Bryce、
是的、你是对的。 现在、我已连接正确的波形以供参考。 测试条件是、当 BAT_EN 变为高电平(禁用 TPS61020 IC)时 、TPS_EN 变为低电平、然后 MCU 引脚在一段时间内强制将 TPS_EN 再次变为高电平。但在此序列期间、不会预计 TPS_EN 上出现正峰值。
如何避免这种情况? 原因是什么? IC 是否因此而出现可靠性问题? 有时、该峰值也达到7V。
您好、Bryce、
如波形所示、黄色波形为 TPS_EN、粉色波形为 BAT_EN。 因此、当 BAT_EN 变为高电平时、TPS_EN 变为高电平(毛刺脉冲)、然后变为低电平。 理想情况下、它应该变为低电平而不会出现任何毛刺脉冲。我也探测 P248。 它显示了与 TPS_EN 相同的毛刺脉冲。
TPS_EN 由 MOSFET 控制,也由 MCU 直接控制(P73网络)。 因此、在 BAT_EN 变为高电平后的某个时间、MCU 使 EN 变为高电平。
此致、
Prafulla S.