[参考译文] TPS61020：EN 引脚上的毛刺脉冲

您好 Prafulla、

感谢您的联系。

我对此有一些疑问。

由于 V90是 PMOS、并且 VBAT 已经是3.3V、也许我们应该将 BAT_EN=0而不是1来启用器件？

从波形中可以看出 BAT_EN 是一个稳定的3.2V、什么是 N4_PIN2？

此致

布莱斯

您好、Bryce、  

是的、你是对的。 现在、我已连接正确的波形以供参考。 测试条件是、当 BAT_EN 变为高电平(禁用 TPS61020 IC)时 、TPS_EN 变为低电平、然后 MCU 引脚在一段时间内强制将 TPS_EN 再次变为高电平。但在此序列期间、不会预计 TPS_EN 上出现正峰值。

如何避免这种情况？ 原因是什么？ IC 是否因此而出现可靠性问题？ 有时、该峰值也达到7V。  

您好 Prafulla、

当 BAT_EN 变为高电平时、TPS_EN 的状态是什么？ MCU 输出低电平还是高电平？

您是否还可以探测 P248 ( MOS 的源极)的电压？

此致、

布莱斯

您好、Bryce、

如波形所示、黄色波形为 TPS_EN、粉色波形为 BAT_EN。 因此、当 BAT_EN 变为高电平时、TPS_EN 变为高电平(毛刺脉冲)、然后变为低电平。 理想情况下、它应该变为低电平而不会出现任何毛刺脉冲。我也探测 P248。 它显示了与 TPS_EN 相同的毛刺脉冲。  

TPS_EN 由 MOSFET 控制，也由 MCU 直接控制(P73网络)。 因此、在 BAT_EN 变为高电平后的某个时间、MCU 使 EN 变为高电平。  

此致、

Prafulla S.

您好 Prafulla、

TPS_EN 上的波形类似于 V90突然关闭引起的振荡。 您是否尝试在 EN 和 GND 之间添加1.0uF 电容器？

此致、

布莱斯

我尝试放置10nF 的电容、它可以完全降低尖峰、但也会导致电池电流消耗轻微增加、这是我无法继续的。 此外、增大电容值将产生影响、由于电容器充电时间的原因、TPS_EN 变为高电平。 我的理论是，毛刺脉冲的流动是从 TPS_EN 到 V90的漏极，从体二极管到 V90的源极。 但不确定如何避免这种情况。  

您好 Prafulla、

您能否在 EN 和 GND 之间添加3.3V 齐纳二极管以降低尖峰？  

此致、

布莱斯