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[参考译文] bq24600:低侧 MOSFET 短路

Guru**** 1791630 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ24600, BQ24600EVM, BQ77915
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1123482/bq24600-short-circuit-on-low-side-mosfet

器件型号:bq24600
Thread 中讨论的其他部件:BQ77915

尊敬的 TI 支持:

经过一些测试、BQ24600充电器上的低侧 MOSFET (Q6、请参阅随附的原理图)因短路而灼伤。 在此期间、仅连接了电池、因此我假设以下电流路径:从 VCC - R47 - L1 - Q6到 GND。 由于栅极和源极之间没有电阻器、MOSFET 栅极可能会保持充电状态。 数据表中未提及此电阻器、BQ24600EVM 中也不存在此电阻器、因此我假设此电阻器位于 IC 内部。 如果我在 Q6的栅极和源极之间放置一个10kOhm 电阻器、应该可以吗? 你怎么看?

提前感谢您、

Stefano

e2e.ti.com/.../5226.BatteryBoardSchematic.pdf

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    您好、Stefano、

    您不需要在开关 FET 上使用10kOhm 电阻器。 我注意到您的原理图有一些非常独特的地方:

    1.为什么 TS 连接到 GND? 为什么在 TS 和 ISET 之间有一个1uF 电容器? 原理图中似乎有一个不应该存在的连接节点。

    2.您是否计划使用 STAT 和/PG 引脚? 如果是这样、则需要由10kOhm 电阻器上拉。

    此致、

    Mike Emanuel

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    您好 Mike。

    为了清晰起见、TS 引脚上的节点只是该原理图上的错误、但 TS 引脚上有任何节点。

    2.是的、STAT 和/PG 引脚在原理图的另一部分被上拉。

    顺便说一下、由于 Q6短路、充电器无法正常工作。

    我想知道问题是否在于 BQ77915的组合、它充当低侧开关、为 BQ24600留下浮动 GND。 您是否有关于此组合的任何信息? 你有什么提示吗?

    谢谢你。

    Stefano

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    您好、Stefano、

    由于我没有发现 BQ24600电路有任何问题、请开始另一个以  BQ77915集成为目标的线程。 保护器专家将能够为您提供帮助。

    此致、

    Mike Emanuel