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[参考译文] BQ25720:降低峰值充电电流

Guru**** 2548720 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1116111/bq25720-reduce-peak-charging-current

器件型号:BQ25720

大家好、

当客户执行系统负载瞬态时、您可以看到通道3 充电电流具有显著的峰值、

我知道、在输入电流限制期间、BATDRV 始终保持相同的电压、因此我怀疑此峰值电流可能是由 VSYS 峰值引起的、正如您从通道1或2中看到的那样。

您是否会告诉我如何最大程度地减小此峰值电流?  

我们应该从 COMP 组件开始吗?  

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    您好 Fred、

    充电器内有多个环路、例如输入电压、输入电流、系统电压、 充电电流、充电电压等。为了简化设计过程、TI 提供了两组补偿网络。 这些补偿值已通过设计验证、并在产品开发过程中以不同输入和 不同电池配置进行验证。 进一步优化补偿网络没有好处。

    因此、  不建议更改降压/升压充电器中的补偿值。  

    只需确保满足应用中的最小输入电容要求(表)和最小输出电容要求(表)。

    谢谢、

    Khalid

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    您好、Bairuti、

     功率级半桥之前、RAC 之后的电容为 100nF+10nF+1nF、而不是数据表中列出的10nF + 1nF、

    这可能是一个问题吗?

    我在输出端看到9个10uF MLCC、这足以支持65W 设计、

    输入电容(10uFx6)也是如此

    您认为还有其他原因吗?

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    您好、Fred、

    我建议与这些电容器的数据表建议相匹配、尤其是因为它说" 功率级半桥之前、RAC 之后的电容应限制为10nF + 1nF。"

    就 IBAT 上的电流尖峰而言、这应该是由 SYS 峰值引起的。 该充电器具有限制 IINDPM 尖峰的功能、因此适配器不会看到这些电流尖峰、也不会看到平滑斜升。 您是否监测了输入电流、以查看该波形中是否存在尖峰?  

    谢谢、
    Khalid

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    您好 Khalid、

    您是否会帮助内部检查为什么数据表建议 使用10nF+1nF 而不是较大的电容器、因为在大多数情况下、较大的电容器通常更好?

    客户希望在修改之前知道原因。   

    请帮助解释为什么较大的电容会导致此峰值充电电流、谢谢

    谢谢  

    Fred

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    您好、Fred、

    此电路是一个电流感应放大器、用于监控输入电流。 这些线路上的更多电容可以滤除要感测的输入电流。 很难确定这是否是根本原因、但我们应遵循数据表中的指南、因为这是经过验证和表征的结果。  

    此外、您能否确认 ACN/ACP 和 SRN/SRP 上的滤波器是否正确且已填充?

    谢谢、
    Khalid

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    您好!

    选中后 、ACN/ACP 和 SRN/SRP 看起来正常、但您可以再次选中、

    它们不区分 AGND 和 PGND、我会要求它们更改、

    但据我所知、接地分区与我们在这里遇到的问题无关、对吧?

    请帮助内部检查、谢谢

    此致、

    Fred

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    您好 Fred、

    滤波器看起来不错。

    AGND/PGND 分离应该对这个问题没有影响。

    谢谢、
    Khalid

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    您好 Khalid、

    客户卸下 PC4416后、仅保留10nF 和1nF、

    与之前的响应相比、响应看起来更平滑、但峰值仍然存在、

    这是预期结果吗?

    如果不是、我们下一步要进行调试?

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    Fred、

    预期会出现这种行为、但由于硬件是定制的、我无法量化尖峰的幅度。 我建议客户在 EVM 上尝试相同的测试、并将结果与其电路板进行比较。

    谢谢、

    Khalid

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    您好 Khalid、

    我只测试 EVM、

    也会出现峰值电流,因此我想这是预期的现象。 (黄色为 VSYS、蓝色为充电电流)

    但是、如果我在 VSYS 上添加更多电容器、这种振铃能否减少?

    因为根本原因是来自 VSYS 的振铃。

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    Fred、

    VSYS 上的电容越大、影响就越小、是的。

    Khalid

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    谢谢

    您是否更喜欢额外的100uF 或0.1uF?

    我假设这是高瞬态响应,我应该增加0.1uF, 对吧?

    导致 LC 阻尼的寄生

    此致、

    Fred

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    您好、Fred、

    对于 HF 噪声、我们应该在 VSYS 附近添加更多0.1uF 的电容。  

    顺便说一下、在此测试期间、客户是使用实际电池还是至少使用大电容器来模拟电池?

    Khalid

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    它们使用真实的电池、

    我们将尝试0.1uF 电容器以查看其运行情况、谢谢