大家好、
当客户执行系统负载瞬态时、您可以看到通道3 充电电流具有显著的峰值、
我知道、在输入电流限制期间、BATDRV 始终保持相同的电压、因此我怀疑此峰值电流可能是由 VSYS 峰值引起的、正如您从通道1或2中看到的那样。
您是否会告诉我如何最大程度地减小此峰值电流?
我们应该从 COMP 组件开始吗?


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大家好、
当客户执行系统负载瞬态时、您可以看到通道3 充电电流具有显著的峰值、
我知道、在输入电流限制期间、BATDRV 始终保持相同的电压、因此我怀疑此峰值电流可能是由 VSYS 峰值引起的、正如您从通道1或2中看到的那样。
您是否会告诉我如何最大程度地减小此峰值电流?
我们应该从 COMP 组件开始吗?


您好、Fred、
我建议与这些电容器的数据表建议相匹配、尤其是因为它说" 功率级半桥之前、RAC 之后的电容应限制为10nF + 1nF。"
就 IBAT 上的电流尖峰而言、这应该是由 SYS 峰值引起的。 该充电器具有限制 IINDPM 尖峰的功能、因此适配器不会看到这些电流尖峰、也不会看到平滑斜升。 您是否监测了输入电流、以查看该波形中是否存在尖峰?
谢谢、
Khalid