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器件型号：BQ25710 大家好、
客户想要测试预充电电流(涓流充电电流)
它们将最小系统电压设置为8.96V、 然后将充电电流设置为128mA。
并从 0~13V 调整电池(CV 负载)电压。
在每个电池电压条件下、充电电流应保持在128mA、
不过、正如您看到的、当 CV 负载电压高于9V 时、充电电流根本不接近于128mA、
请帮助解释和修改、谢谢
大家好、
客户想要测试预充电电流(涓流充电电流)
它们将最小系统电压设置为8.96V、 然后将充电电流设置为128mA。
并从 0~13V 调整电池(CV 负载)电压。
在每个电池电压条件下、充电电流应保持在128mA、
不过、正如您看到的、当 CV 负载电压高于9V 时、充电电流根本不接近于128mA、
请帮助解释和修改、谢谢
您好 Fred、
一旦 BAT 电压达到9V、它就高于 VSYS 最小值。 此时会发生两种情况-> VSYS 和 VBAT 之间的 BATFET 完全导通、器件进入快速充电模式。
由于 BATFET 被打开、此器件正在调节 VSYS 和 VBAT 并且它们通过 BATFET 连接、FET 的 RDSON 和 VSYS/VBAT 之间的任何电压差将导致一些电流变化。
请注意、在数据表中(请参阅下面的)、快速充电电流精度仅限于技术规格下的512mA、而128mA 时的充电电流精度仅限于预充电电流。 为了使该测试在实际预充电模式下有效、客户需要将 VSYS 最小电压设置为高于 VBAT 的电压、以便器件保持预充电状态。
谢谢、
Khalid
您好 Khalid、
感谢您的回复、
因此、如果 充电器处于快速充电模式、 并在充电时设置128mA
与预充电模式类似、30%的电流精度无法得到保证、对吧？
但是、客户报告英特尔 SKU 不存在如此严重的不匹配、
下面是 AMD SKU 中的电池感应、
BTW、下面的测试和布局是英特尔 SKU。 您可以看到、当电池电压大于最小系统电压时、充电电流仍在30%以内(快速充电模式)
此致、
Fred
Fred、
因此、如果 充电器处于快速充电模式、 并在充电时设置128mA
与预充电模式类似、30%的电流精度无法得到保证、对吧？
是的、没错。 对于512mA 快速充电或128mA 预充电(VBAT 低于 VSYSMin)、有一个精度规格
关于您在此测试中看到差异的两个应用之间的差异、您指向了 RSNS 和 SRP/SRN 布局、但这不是主要的影响因素。 正如我提到过的、当 VBAT > VSYSMin 时、BATFET (下面的 Q7)将完全导通、系统将 VSYS 连接到 VBAT。 VSYS/VBAT 之间的任何电压差都将导致流经该 FET 的电流。
您可以比较这两种设计中的 BATFET、这可能是测试行为不同的原因。 但是、它也可能与 VSYS 上的负载相关、等等
谢谢、
Khalid
您好 Khalid、
感谢您的回复、
我同意您的观点， 因为 VBAT 在完全打开时是 VSYS-10，
所以我猜根本原因可能是 VSYS。。
它们会注意到、当 Vbattery 高于8.5V (大约最小系统电压)时、SW2的行为与此类似
但当 Vbattery 低于8.5V 时，SW2稳定且没有开关，
这是否为您提供了任何线索？
Fred、
随着 VBAT 的变化、根据 VBUS 电压、充电器需要在降压/降压/升压/和升压模式之间进行切换。 在这种情况下、SW1/SW2将根据其所处的模式进行切换或不进行切换。
谢谢、
Khalid
你(们)好
更新了 VSYS/VBAT 的两种布局
下面是英特尔 SKU
这是 AMD SKU、它显示的准确度较低、您可以看到 BATDRV 路由更宽、
这些是否为您提供了任何线索？
您好 Khalid、
很抱歉、我不认为您的回答涵盖了我的问题
例如，如果最小系统电压为9.2V，则电池电压高于9.2V
现在、VSYS 可能比快速充电中的最小 VSYS 高9.5V、
在这种情况 下、理想情况下 BATDRV 将达到 VSYS-10以完全导通、即-0.5V、这是不可能的。
因此，如果它是0V，则意味 着 BATFET 的 Vgs 低于10V，这与下图相矛盾
谢谢
