主题中讨论的其他器件:BQSTUDIO、 EV2400、 TIDA-010208、 BQ40Z50、 LM5060、 BQ34Z100、 LM5069、
尊敬的 TI 支持团队:
在数据表 BQ34Z100EVM 中的图4-7 (EVM 原理图)中 、我们可以移除 Q4 MOSFET (BSS138)并将 R4直接接地。 我将此设置设计为使用60V、Q4 VDS 击穿电压为50V。 那么、想知道我们是否可以将 R4直接接地并使 VEN 引脚悬空。
非常感谢您的帮助
谢谢
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
尊敬的 TI 支持团队:
在数据表 BQ34Z100EVM 中的图4-7 (EVM 原理图)中 、我们可以移除 Q4 MOSFET (BSS138)并将 R4直接接地。 我将此设置设计为使用60V、Q4 VDS 击穿电压为50V。 那么、想知道我们是否可以将 R4直接接地并使 VEN 引脚悬空。
非常感谢您的帮助
谢谢
您好 Bhanu、
直接连接到平面更容易、通常也更好、这将最大程度地降低电感。 有些人做的"星形接地"与您描述的相当相似、它有助于隔离信号。 人们一直在争论所有这些接地技术、我经常会看到相互矛盾的建议。 最终、我个人认为、只要有一个巨大的 GND 层、一切都直接连接到该平面、就会变得更加简单/简单。
同样、这些技术对于射频(MHz 和更高频率)和/或高功率电路至关重要。 使用您的电流接地、您将可以正常工作、因为系统中甚至没有太多噪声耦合。 负载(我相信您说的是电机?) 这种接地可能更重要。 我只是想告诉大家关于布局的建议各不相同、您可能需要查阅不同的来源。
谢谢、
Alex M.
您好、Alexander、
我在 EVM 布局中找不到 R39、R40和 Q8的位置。
此外、由于我不会使用任何 LED 指示灯、我是否需要它们、或者能否直接将 Q3连接到 Regin 引脚
也是如此

在这里、我使用跳线断开 Regin 之间的连接、以便我可以首先检查什么是 Regin 电压、然后连接跳线。 此外、如果需要、还可以连接外部3.3V 电源为 IC 供电。
那么、我的问题是、如果 SRN 和 SRP BAT 引脚等所有其他 IC 引脚都接收到电源、并且 Regin 没有接收到电源、这会损坏 IC 吗?
我的理解是、IC 不会旋转、因此不会发生任何情况。
谢谢
谢谢
您好 Bhanu、
我看到这些组件不在用户指南组件视图中。 我检查了一个 EVM、它们存在、以下是它们在 EVM 布局中的表现方式:

似乎用户指南中的任何版本都未安装额外的 FET 和电阻器。 此外、如果您不使用 LED、则可以随意断开它们。 您可以将 Regin 视为器件其余部分的 LDO 输入。 我不认为断开 Regin 会损坏器件。 我以前在测量仪表上这样做没有任何问题、我在数据表中看不到任何建议。 尤其是因为 CE 通常与 Regin 相连、它应该防止任何奇怪的状态发生并损坏器件。
我唯一需要提到的是、我不确定稳压器电路在没有连接到电源的情况下的行为。 因此、您可能会在跳线未连接时看到一个奇怪的电压、如果连接了该电压的话、这是可以的。 如果确实发生这种情况、请记住这一点。
谢谢、
Alex M.
您好、Alexander、
在上一篇文章中、您提到了"R2和 R4制造一个分压器、用于驱动 FET、控制另一个为 BAT 引脚馈电的分压器。 这是可选的、可以省电。 选择这些值、使 Vbat *(R2/(R2+R4) )是一个 Vgs、它将在整个 Vbat 范围内以较大裕度超过 Vth。 此外、R2+R4更高、电路使用的功率更低"
但不是分压器公式 VBAT*(R4/(R2+R4))。
使用我提到的公式、我得到了 Vgs 完全不同的值。 那么、您能不能在这里帮我找到正确的公式
谢谢
您好 Bhanu、
我使用 R2作为分子、因为这样公式就可以一步告诉您 Vgs。 希望此图有助于:

Q5是可能导致差异的 PMOS。 当 Q4断开时、VG 为 BAT、因此 Vgs 为0V、且它关闭。 当 Q4导通时、分压器激活。 您可以使用所示的公式来找到 VG、然后从该值中减去 BAT 以找到 Vgs。 或者、只要您记住将值设为负值、您就可以在分子中使用 R2进行计算并完成计算。
总之、它将使用任一公式。 我发布的是一个快捷方式、但您必须小心该符号。
谢谢、
Alex M.
您好、Alexander、
我理解这一点是为了确认我已经完成了数据表中所示的相同连接,而且 MOSFET 符号也如图所示。 因此、我使用的公式 是 Vbat *(R2/(R2+R4))。 我使用的是 R2 100K 和 R4 250K。 使用你给我的公式我 得到 Vgs=17.14V。 该电压为正、但实际上电压为负、对吧?
此外、您还在电池上放置了"-"和"+"符号。 电阻器 R2不会从 BAT+引脚接收+60V 电压。 我在理解.Sorry 时遇到了困难
那么 PMOS 将适合 您的计算吗?
谢谢
您好 Bhanu、
这听起来是正确的、这张图片可能更有意义:

这里是60V 的一些示例数字。 当 Q4导通时、对于这些值、电阻器上的电压将与此类似。 栅极上相对于接地的电压为37.4V。 BAT 引脚也是拉电压、它是60V。 因此、VGS 为37.4V - 60V =-22.6V。 由于它的工作方式(KVL)、该值恰好等于 R2上的电压22.6V。
您可以说 VSG (Vsource-Vgate)为+22.6V、Vgs (Vgate - Vsource)为-22.6V。 因为栅极电压低于电池电压22.6V。
根据我选择的这些值、该电路将不起作用、因为该器件的最大 Vgs 电压为+-20V、因此我们超出了该值。 根据您的值、由于17V 在额定值范围内、因此应该可以正常工作。 尽管如此、如果电池电压随您的电压值上升到70V 以上、则可能会损坏 PMOS。
谢谢、
Alex M.