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[参考译文] BQ34Z100EVM:我能否移除 Q4 MOSFET 并将电阻器接地

Guru**** 2535250 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ34Z100EVM, BQSTUDIO, EV2400, TIDA-010208, BQ40Z50, LM5060, BQ34Z100, LM5069

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1111661/bq34z100evm-can-i-remove-q4-mosfet-and-ground-the-resistor

器件型号:BQ34Z100EVM
主题中讨论的其他器件:BQSTUDIOEV2400TIDA-010208BQ40Z50LM5060BQ34Z100LM5069

尊敬的 TI 支持团队:

                在数据表 BQ34Z100EVM 中的图4-7 (EVM 原理图)中  、我们可以移除 Q4 MOSFET (BSS138)并将 R4直接接地。 我将此设置设计为使用60V、Q4 VDS 击穿电压为50V。 那么、想知道我们是否可以将 R4直接接地并使 VEN 引脚悬空。

非常感谢您的帮助

谢谢

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    您好、Alexander

    因此、我对 BQ34Z100EVM 中元件的不同接地连接有疑问、我是否需要先将所有元件的接地端连接在一起、然后将该连接的一个点连接到接地层、或者我是否可以使用过孔直接连接每个元件 接地平面。 我使用的是4层电路板、我为模拟和数字接地留出了内部第1层。 我要求这样做是为了减少接地回路和噪声

    谢谢  

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    您好 Bhanu、

    直接连接到平面更容易、通常也更好、这将最大程度地降低电感。 有些人做的"星形接地"与您描述的相当相似、它有助于隔离信号。 人们一直在争论所有这些接地技术、我经常会看到相互矛盾的建议。 最终、我个人认为、只要有一个巨大的 GND 层、一切都直接连接到该平面、就会变得更加简单/简单。  

    同样、这些技术对于射频(MHz 和更高频率)和/或高功率电路至关重要。 使用您的电流接地、您将可以正常工作、因为系统中甚至没有太多噪声耦合。 负载(我相信您说的是电机?) 这种接地可能更重要。 我只是想告诉大家关于布局的建议各不相同、您可能需要查阅不同的来源。

    谢谢、

    Alex M.

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    您好、Alexander、

    我在 EVM 布局中找不到 R39、R40和 Q8的位置。

    此外、由于我不会使用任何 LED 指示灯、我是否需要它们、或者能否直接将 Q3连接到 Regin 引脚

    也是如此  

    在这里、我使用跳线断开 Regin 之间的连接、以便我可以首先检查什么是 Regin 电压、然后连接跳线。 此外、如果需要、还可以连接外部3.3V 电源为 IC 供电。

    那么、我的问题是、如果 SRN 和 SRP BAT 引脚等所有其他 IC 引脚都接收到电源、并且 Regin 没有接收到电源、这会损坏 IC 吗?

    我的理解是、IC 不会旋转、因此不会发生任何情况。

    谢谢

    谢谢

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    您好 Bhanu、

    我看到这些组件不在用户指南组件视图中。 我检查了一个 EVM、它们存在、以下是它们在 EVM 布局中的表现方式:

    似乎用户指南中的任何版本都未安装额外的 FET 和电阻器。 此外、如果您不使用 LED、则可以随意断开它们。 您可以将 Regin 视为器件其余部分的 LDO 输入。 我不认为断开 Regin 会损坏器件。 我以前在测量仪表上这样做没有任何问题、我在数据表中看不到任何建议。 尤其是因为 CE 通常与 Regin 相连、它应该防止任何奇怪的状态发生并损坏器件。  

    我唯一需要提到的是、我不确定稳压器电路在没有连接到电源的情况下的行为。 因此、您可能会在跳线未连接时看到一个奇怪的电压、如果连接了该电压的话、这是可以的。 如果确实发生这种情况、请记住这一点。

    谢谢、

    Alex M.

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    您好、Alexander、

    在上一篇文章中、您提到了"R2和 R4制造一个分压器、用于驱动 FET、控制另一个为 BAT 引脚馈电的分压器。 这是可选的、可以省电。 选择这些值、使 Vbat *(R2/(R2+R4) )是一个 Vgs、它将在整个 Vbat 范围内以较大裕度超过 Vth。 此外、R2+R4更高、电路使用的功率更低"

    但不是分压器公式 VBAT*(R4/(R2+R4))。  

    使用我提到的公式、我得到了 Vgs 完全不同的值。 那么、您能不能在这里帮我找到正确的公式

    谢谢

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    您好 Bhanu、

    我使用 R2作为分子、因为这样公式就可以一步告诉您 Vgs。 希望此图有助于:

    Q5是可能导致差异的 PMOS。 当 Q4断开时、VG 为 BAT、因此 Vgs 为0V、且它关闭。 当 Q4导通时、分压器激活。 您可以使用所示的公式来找到 VG、然后从该值中减去 BAT 以找到 Vgs。 或者、只要您记住将值设为负值、您就可以在分子中使用 R2进行计算并完成计算。  

    总之、它将使用任一公式。 我发布的是一个快捷方式、但您必须小心该符号。  

    谢谢、

    Alex M.

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    您好、Alexander、

    我理解这一点是为了确认我已经完成了数据表中所示的相同连接,而且 MOSFET 符号也如图所示。 因此、我使用的公式 是 Vbat *(R2/(R2+R4))。 我使用的是 R2 100K 和 R4 250K。 使用你给我的公式我 得到 Vgs=17.14V。 该电压为正、但实际上电压为负、对吧?

    此外、您还在电池上放置了"-"和"+"符号。 电阻器 R2不会从 BAT+引脚接收+60V 电压。  我在理解.Sorry 时遇到了困难

    那么 PMOS 将适合 您的计算吗?  

    谢谢

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    您好 Bhanu、

    这听起来是正确的、这张图片可能更有意义:

    这里是60V 的一些示例数字。 当 Q4导通时、对于这些值、电阻器上的电压将与此类似。 栅极上相对于接地的电压为37.4V。 BAT 引脚也是拉电压、它是60V。 因此、VGS 为37.4V - 60V =-22.6V。 由于它的工作方式(KVL)、该值恰好等于 R2上的电压22.6V。  

    您可以说 VSG (Vsource-Vgate)为+22.6V、Vgs (Vgate - Vsource)为-22.6V。 因为栅极电压低于电池电压22.6V。  

    根据我选择的这些值、该电路将不起作用、因为该器件的最大 Vgs 电压为+-20V、因此我们超出了该值。 根据您的值、由于17V 在额定值范围内、因此应该可以正常工作。 尽管如此、如果电池电压随您的电压值上升到70V 以上、则可能会损坏 PMOS。  

    谢谢、

    Alex M.

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    您好、Alexander、

    非常感谢您、我知道还可以为我提供 PCB 布局、例如如何在  EVM 中为 R39、R40和 Q8完成布线

    我需要文档、并想为我的板参考它

    谢谢