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[参考译文] LM5069:浪涌测试中的反向电流损坏

Guru**** 2538950 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5069

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1120078/lm5069-reverse-current-damage-on-the-surge-test

器件型号:LM5069

您好!

我想就 LM5069反向电流保护电路征求您的建议。  我的客户的系统上有大输入电容。 当 VIN 在正常运行的中间关闭时、将有电流从负载侧流向输入侧。 反向电流将流经体二极管、如果我理解正确、LM5069本身就没有反向电流保护。 两个主要问题:

(1) FET 可能会损坏、因为反向电流 可能超过体二极管额定电流。

(2) LM5069单元可能已损坏。 突然的反向电流可能会导致 LM5069的 OUT 引脚或 IN 引脚上的电压瞬态。

我想知道您是否有任何想法来防止 FET 和 IC 在上述条件下损坏。 我检查 了 EVM 的 LM5069浪涌抑制器和反向电压保护。 下面的背靠背 FET 设计是否起作用?

还有其他更简单的方法吗?例如二极管? 您认为 OUT 引脚与 GND 之间的肖特基二极管是否可行?

客户正在使用 D2PAK 封装 FET。 我听说没有问题、因为它是 D2PAK。 但我不明白 为什么 D2PAK 比其他封装类型更安全。 如果您有任何想法、您还能帮助提供有关此方面的评论吗?

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    您好、Ella、

    您是指大输出电容吗? 因为输入电容放电不会流过 FET

    对于此用例、建议使用背靠背 FET 配置。 其他选项是使用串联二极管或理想二极管控制器解决方案 LM74700

    此致、

    Rakesh  

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    您好、Rakesh、

    LM74700无法阻止正向路径。 我认为支持两个 FET 的理想二极管控制器会更好。 在 理想二极管/ORing 控制器产品选择中找不到合适的100V 额定值器件|德州仪器 TI.com 。 客户的最大输入电压为75V。 你有什么建议吗?

    采用 B2B FET 的 LM5069是最佳选择?

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    您好、Ella、

    https://www.ti.com/lit/ug/tidu415/tidu415.pdf 中提供的热插拔+ Oring 解决 方案是浪涌保护的最佳选择。 LM5050控制 器的额定工作电压为75V、绝对最大值为100V。

    您能否分享应用用例、EE 和系统规格?

    此致、

    Rakesh  

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    您好、Rakesh、  

    与采用 B2B FET 的 LM5069相比、LM5069+LM5050没有太大优势。 您能帮助提供见解吗?

    应用用例如下:  

    • 启动:0VIN 至48VIN (60VINmax),空载
    • 正常工作:48V 输入电压、48V 输出电压、10A 负载
    • 5G MMU/RRH 系统中功率放大器的电源路径

    但问题是由浪涌测试等非正常情况引起的。 最近,在浪涌测试期间,其他 IC (非 LM5069)出现了 FgET 和 IC 损坏问题; 从系统负载侧施加2kA 的电流浪涌、由于流经体二极管的反向电流而导致 FET 损坏、并且由于 OUT 引脚等多个引脚的绝对最大额定值转换而损坏 IC。 他们对 LM5069的这个问题也有疑虑。

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    您好、Ella、

    具有 B2B FET 的 LM5069不提供有源反向电流阻断。 因此、在输入电源故障情况下、负载电容器会放电到输入侧。 但对于 LM5069+LM5050解决 方案、LM5050会阻断反向电流并防止输出电容放电。

    2kA 的浪涌电流太大...它们必须使用 LC 滤波器来抑制它。 TVS 二极管可能无法处理这么大的功率。